[发明专利]OLED显示面板及其制作方法

权利要求书

1.一种OLED显示面板，其特征在于，所述OLED显示面板包括TFT组件、辅助电极、阳极、搭接电极、金属层、有机物层、有机发光层以及阴极；

其中，所述搭接电极与所述阳极位于同一层，且所述搭接电极的材料与所述阳极的材料一致，所述搭接电极与所述辅助电极相连接，所述有机发光层和所述阴极与所述辅助电极相连接；

其中，所述金属层和所述有机物层具有底切结构，所述OLED显示面板还包括平坦层，所述平坦层在所述阳极的连接处和所述辅助电极上方具有开孔；所述搭接电极在所述辅助电极上方的开孔处覆盖所述平坦层的单边侧壁，并与所述辅助电极相连接，所述阴极的覆盖范围比所述有机发光层的覆盖范围更广，所述阴极与所述搭接电极的连接处比所述有机发光层与所述搭接电极的连接处更大。

2.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述金属层具有至少两层金属层第一金属层和第二金属层，所述第一金属层与所述第二金属层对蚀刻液的选择比不同，所述第一金属层的蚀刻速率大于所述第二金属层的蚀刻速率。

3.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述有机物层为负性光阻或为像素界定层相同材料。

4.一种OLED显示面板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1、在TFT组件上制作辅助电极的pattern图案；

步骤S2、在所述TFT组件和所述辅助电极上制作平坦层，在所述平坦层上形成分别暴露源极及所述辅助电极的第一过孔及第二过孔；

步骤S3、在所述平坦层上沉淀阳极ITO/Ag/ITO，并在所述阳极ITO/Ag/ITO上涂覆光阻；

步骤S4、蚀刻所述阳极ITO/Ag/ITO进行图案化，形成阳极和搭接电极；

所述阳极经过所述第一过孔与所述源极连接，所述搭接电极经过所述第二过孔与所述辅助电极连接，所述搭接电极覆盖所述平坦层的单边侧壁；

步骤S5、在所述平坦层及所述阳极上形成像素界定层，所述像素界定层上设有暴露所述阳极的第一开口；

步骤S8、在所述像素界定层、所述第一开口、所述辅助电极、及所述搭接电极上形成有机发光层，所述有机发光层通过所述搭接电极与所述辅助电极连接，控制蒸镀源使所述有机发光层无法完全覆盖底切结构的阴影区域处所述辅助电极；以及

步骤S9、控制制备阴极时的蒸镀角度，利用所述底切结构的所述阴影区域，使阴极的覆盖范围大于所述有机发光层的覆盖范围，在所述有机发光层上制作阴极，所述阴极连接到所述搭接电极，所述阴极通过所述搭接电极与所述辅助电极连接。

5.根据权利要求4所述的OLED显示面板的制作方法，其特征在于，还包括步骤S6、在所述像素界定层上形成至少两层具有选择比的第一金属层及第二金属层，在所述第二金属层上形成有机物层；

其中，所述有机物层在所述辅助电极上方具有底切结构。

6.根据权利要求5所述的OLED显示面板的制作方法，其特征在于，还包括步骤S7、在所述第二金属层以及所述有机物层上涂覆光阻，通过湿蚀刻将所述第一金属层及所述第二金属层蚀刻掉，产生底切结构；

在所述步骤S7中的所述光阻是负性光阻，所述有机物层由所述搭接电极的图案宽度以及曝光的深度来控制在两层金属层上方形成底切结构，所述两层金属层对蚀刻液的选择比不同，所述两层金属层由下至上蚀刻速率逐渐减慢。