[发明专利]一种具有择优取向的Ga2 有效
| 申请号： | 201911177760.9 | 申请日： | 2019-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN110923665B | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 范明明;曹铃;李秀燕 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;C23C16/44 |
| 代理公司： | 太原倍智知识产权代理事务所(普通合伙) 14111 | 代理人： | 戎文华 |
| 地址： | 030024 山西*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 择优取向 ga base sub | ||
1.一种具有择优取向的Ga2O3和SnO2混相膜的制备方法，其特征在于：所述制备方法是按下列步骤进行的：
（1）将Ga2O3粉末和SnO2粉末与碳粉末按质量比为1∶0.01-2∶1的比例混合且充分研磨，得到固体混合粉末；
（2）以所述固体混合粉末为反应源，将基片和反应源置于高温管式炉中，反应源温度为800℃-1150℃，利用化学气相沉积方法，通过热碳还原Ga2O3和SnO2提供Ga源和Sn源，以氧气为氧源，惰性气体为载气，按氧气和惰性气体流量比例为0.1-20mL/min∶0-100mL/min，基片温度为800℃-1150℃，生长压力为1 Pa-30 Pa，沉积时间为5 min-60 min，在基片上获得具有择优取向的Ga2O3和SnO2混相膜；
所述基片是与Ga2O3和SnO2均具有小失配度的缓生层，所述失配度小于10%；
所述具有择优取向的Ga2O3和SnO2混相膜均具有单一择优取向。
2.如权利要求1所述的具有择优取向的Ga2O3和SnO2混相膜的制备方法，其特征在于：所述缓生层是通过对衬底进行热、物理或化学处理得到，或者通过在衬底上生长获得；所述缓生层是一层或多层结构，与Ga2O3和SnO2均具有小失配度，失配度小于10%。
3.如权利要求1所述的具有择优取向的Ga2O3和SnO2混相膜的制备方法，其特征在于：所述具有择优取向的Ga2O3和SnO2混相膜均具有单一择优取向，其厚度为50 nm-1μm，膜光学带隙为3.6 eV-4.7 eV。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
