[发明专利]半导体封装和其制造方法

说明书

半导体封装和其制造方法。本公开提供一种电子装置，包括：第一信号重分布结构；第一竖直互连结构，在第一信号重分布结构的第一面上；连接管芯，包括背面和正面，背面面向且耦合到第一信号重分布结构的第一面；第一连接管芯互连结构，耦合到连接管芯的正面；第二信号重分布结构，在第一竖直互连结构及第一连接管芯互连结构上；及第一电子部件，包括：第一互连结构，耦合到第二信号重分布结构且至少通过其而电耦合到第一竖直互连结构；及第二互连结构，耦合到第二信号重分布结构且至少通过其而电耦合到第一连接管芯互连结构。

技术领域

本发明涉及半导体封装结构和用于制造半导体封装的方法。

背景技术

目前的半导体封装和用于形成半导体封装的方法是不适当的，例如导致成本过量、可靠性降低或封装大小过大。通过将此类方法与如在本申请的其余部分中参考附图所阐述的本公开进行比较，对于所属领域的技术人员而言，常规和传统方法的进一步限制和缺点将变得显而易见。

发明内容

本公开的各种方面提供一种半导体封装结构和一种用于制造半导体封装的方法。作为非限制性实例，本公开的各种方面提供各种半导体封装结构和其制造方法，所述半导体封装结构包括在多个其它半导体管芯之间按特定路线发送电信号的连接管芯。

本公开的一方面为一种电子装置，其包括：第一信号重分布结构；第一竖直互连结构，其在所述第一信号重分布结构的第一面上；连接管芯，其包括背面和正面，其中所述背面面向且耦合到所述第一信号重分布结构的所述第一面；第一连接管芯互连结构，其耦合到所述连接管芯的所述正面；第二信号重分布结构，其在所述第一竖直互连结构上且在所述第一连接管芯互连结构上；以及第一电子部件，其包括：第一互连结构，其耦合到所述第二信号重分布结构，使得所述第一电子部件的所述第一互连结构至少通过所述第二信号重分布结构电耦合到所述第一竖直互连结构；以及第二互连结构，其耦合到所述第二信号重分布结构，使得所述第一电子部件的所述第二互连结构至少通过所述第二信号重分布结构电耦合到所述第一连接管芯互连结构。

前述方面的电子装置包括：第二竖直互连结构，其在所述第一信号重分布结构的所述第一面上；第二连接管芯互连结构，其耦合到所述连接管芯的所述正面，其中所述第二连接管芯互连结构电耦合到所述第一连接管芯互连结构；以及第二电子部件，其包括：第一互连结构，其耦合到所述第二信号重分布结构，使得所述第二电子部件的所述第一互连结构至少通过所述第二信号重分布结构电耦合到所述第二竖直互连结构；以及第二互连结构，其耦合到所述第二信号重分布结构，使得所述第二电子部件的所述第二互连结构至少通过所述第二信号重分布结构电耦合到所述第二连接管芯互连结构。

前述方面的电子装置包括竖直地处于所述第一电子部件与所述第二信号重分布结构之间、竖直地处于所述第二电子部件与所述第二信号重分布结构之间以及横向地处于所述第一电子部件与所述第二电子部件之间的底部填充材料层。

前述方面的电子装置包括第一包封材料，所述第一包封材料覆盖所述第一信号重分布结构的所述第一面并且横向地围绕所述第一竖直互连结构和所述第一连接管芯互连结构。

在前述方面的电子装置中，所述第一包封材料横向地围绕所述连接管芯。

在前述方面的电子装置中，所述第一包封材料的第一面与所述第一竖直互连结构的端面和所述第一连接管芯互连结构的端面共面。

在前述方面的电子装置中，所述第一信号重分布结构的第一侧面、所述第二信号重分布结构的第一侧面和所述第一包封材料的第一侧面共面。

前述方面的电子装置包括第二包封材料，所述第二包封材料覆盖所述第二信号重分布结构并且横向地围绕所述第一电子部件。

在前述方面的电子装置中，所述第一信号重分布结构的第一侧面、所述第二信号重分布结构的第一侧面、所述第一包封材料的第一侧面以及所述第二包封材料的第一侧面共面。