[发明专利]电路装置有效

申请号：	201911178018.X	申请日：	2019-11-27
公开（公告）号：	CN111416607B	公开（公告）日：	2023-06-27
发明（设计）人：	坂野竜则;高尾和人	申请（专利权）人：	株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
主分类号：	H03K17/567	分类号：	H03K17/567
代理公司：	中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038	代理人：	肖靖
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	电路装置
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【说明书】：

提供能够抑制损耗的控制电路、半导体装置以及电路装置。根据实施方式，控制电路与包括第1元件的元件部连接，该第1元件包括第1栅极、第1集电极以及第1发射极。所述控制电路实施第1动作以及第2动作。在所述第1动作的至少一部分中，所述控制电路使第1电流从所述第1集电极向所述第1发射极流动。在所述第2动作的至少一部分中，所述控制电路使第2电流从所述第1发射极向所述第1集电极流动。所述第1动作中的所述第1元件的开关的第1时间常数与所述第2动作中的所述第1元件的开关的第2时间常数不同。

本申请以日本专利申请2019-000102(申请日2019年1月4日)为基础，从该申请享受优先权。本申请通过参照该申请，从而包含该申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及控制电路、半导体装置以及电路装置。

背景技术

例如，在电力变换电路等中使用IGBT(insulated gate bipolar transistor，绝缘双极型晶体管)等半导体装置。期望能够抑制半导体装置中的损耗的控制电路以及电路。

发明内容

本发明的实施方式提供能够抑制损耗的控制电路、半导体装置以及电路装置。

根据本发明的实施方式，控制电路与包括第1元件的元件部连接，该第1元件包括第1栅极、第1集电极以及第1发射极。所述控制电路实施第1动作以及第2动作。在所述第1动作的至少一部分中，所述控制电路使第1电流从所述第1集电极向所述第1发射极流动。在所述第2动作的至少一部分中，所述控制电路使第2电流从所述第1发射极向所述第1集电极流动。所述第1动作中的所述第1元件的开关的第1时间常数与所述第2动作中的所述第1元件的开关的第2时间常数不同。

根据上述结构的控制电路，能够提供能够抑制损耗的控制电路、半导体装置以及电路装置。

附图说明

图1中的(a)以及(b)是例示第1实施方式的控制电路、半导体装置以及电路装置的示意图。

图2中的(a)以及(b)是例示第1实施方式的控制电路、半导体装置以及电路装置的动作的示意图。

图3中的(a)～(d)是例示第1实施方式的控制电路、半导体装置以及电路装置的动作的示意图。

图4是例示第1实施方式的半导体装置的示意剖视图。

图5是例示第1实施方式的半导体装置的动作的示意剖视图。

图6中的(a)以及(b)是例示第1实施方式的半导体装置的特性的曲线图。

图7中的(a)～(d)是例示第2实施方式的控制电路、半导体装置以及电路装置的示意图。

图8中的(a)以及(b)是例示第2实施方式的控制电路、半导体装置以及电路装置的动作的示意图。

图9中的(a)～(d)是例示第2实施方式的控制电路、半导体装置以及电路装置的动作的示意图。

图10是例示第2实施方式的半导体装置的示意剖视图。