[发明专利]基于磁光效应的D型光子晶体光纤多参量SPR传感器

权利要求书

1.基于磁光效应的D型光子晶体光纤多参量SPR传感器，如图1和图2所示，包括光纤传感器本体，其由光子晶体光纤(1)、分析物传感区(2)、金薄膜(3)、光子晶体光纤空气孔(4)、磁光介质Fe₃O₄(5)和温敏介质甲苯(6)组成。光子晶体光纤包层的直径D＝125um，侧抛面长度L＝1mm。

2.根据权利1基于磁光效应的D型光子晶体光纤多参量SPR传感器，其特征为：光子晶体光纤(1)的材料为二氧化硅，折射率可根据Sellmeier方程算出。

3.根据权利1基于磁光效应的D型光子晶体光纤多参量SPR传感器，其特征为：光子晶体光纤(1)的侧抛面为D型，表面涂覆有金薄膜(3)。

4.根据权利1基于磁光效应的D型光子晶体光纤多参量SPR传感器，其特征为：下侧的空气孔内填充有磁光介质(5)，纤芯右侧的空气孔内填充有温敏介质(6)。

5.根据权利1或3所述的基于磁光效应的D型光子晶体光纤多参量SPR传感器，其特征为：金薄膜的厚度t＝50nm，宽度以刚好将覆盖住D型表面为准。

6.根据权利1或4所述的基于磁光效应的D型光子晶体光纤多参量SPR传感器，其特征为：温敏介质建议为甲苯，也可以用甘油和乙醇等替代，磁光介质建议为Fe₃O₄，也可以用Fe₂O₃等替代。

7.根据权利1所述的基于磁光效应的D型光子晶体光纤多参量SPR传感器，其特征为：光子晶体光纤的空气孔间距Λ＝16um，空气孔直径d＝0.42Λ。

8.根据权利1所述的基于磁光效应的D型光子晶体光纤多参量SPR传感器，其特征为：其适宜用于侧抛的光纤型号建议为ESM-12光子晶体光纤。