[发明专利]一种半导体存储器用高纯纳米钨粉的制备方法有效
| 申请号： | 201911178951.7 | 申请日： | 2019-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN111014723B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 曲鹏;丁照崇;李勇军;滕海涛;庞欣;张延宾;曹晓萌;李利利;冯昭伟;顾晓倩 | 申请（专利权）人： | 有研亿金新材料有限公司;有研亿金新材料（山东）有限公司 |
| 主分类号： | B22F9/26 | 分类号： | B22F9/26 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 张文宝 |
| 地址： | 102200*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 存储 器用 高纯 纳米 制备 方法 | ||
1.一种半导体存储器用高纯纳米钨粉的制备方法，包括向纯化的钨酸铵溶液中加入盐酸，得到钨酸浆液；以氯化钯为催化剂，向所得钨酸浆液中通入氢气进行液相氢还原反应，制得高纯纳米钨粉；其特征在于，包括以下步骤：
(a)废钨切屑料先经机械除杂、过筛后再溶解于过氧化氢和氨水组成的混合溶液A中，得到钨酸铵溶液；
(b)过滤步骤(a)所得钨酸铵溶液，其过筛目数为10～30目；所述溶解温度为60～90℃；所述混合溶液A中过氧化氢浓度为15～25wt％、氨水浓度为10～20wt％，所述钨酸铵溶液的浓度为50～80g/L；然后利用氯型阴离子交换树脂进行吸附，以氯化铵和氨水组成的混合溶液B为解吸剂解吸树脂，制得纯化的钨酸铵溶液；以氯化钯为催化剂，向所得钨酸浆液中通入氢气进行液相氢还原反应，制得高纯纳米钨粉；其中氯型阴离子交换树脂为D201氯型阴离子交换树脂，树脂交换柱的高径比为8:1，溶液流速为10～20m/h；所述混合溶液B体积用量为树脂交换柱体积的6～10倍；混合溶液B中氯化铵浓度为2～28wt％、氨水浓度为3～7wt％；所述纯化的钨酸铵溶液浓度为150～250g/L；
(c)所述步骤(b)中液相氢还原反应在90℃、5～8MPa下进行；所述氢气流量3～7m3/h，反应时间2～6h；每升钨酸浆液所述催化剂氯化钯的用量为2～5g；
所述高纯纳米钨粉的纯度大于99.999％，粒径为300～500nm，松装密度为0.6～1.0g/cm3。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于有研亿金新材料有限公司;有研亿金新材料（山东）有限公司，未经有研亿金新材料有限公司;有研亿金新材料（山东）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911178951.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种转向杆淬火工艺
- 下一篇：洗涤方法、装置、电子设备和存储介质
