[发明专利]主动清洁真空系统和方法

说明书

用于硅晶体生长的真空系统包括硅晶体生长室、第一真空管、第二真空管和氧化物容器。第一真空管联接至所述室并且在内部具有第一刷，第一刷在第一方向上是可移动的，以去除内部氧化物。第二真空管联接至第一真空管，以经由第一刷接收内部氧化物，并且第二真空管在内部具有第二刷，第二刷在不同于第一方向的第二方向上是可移动的。第二刷远离第一真空管地传输所接收的内部氧化物。氧化物容器联接至第二真空管，以经由第二刷接收内部氧化物。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年3月15日提交的第16/354,488号美国专利申请的优先权，该美国专利申请的内容在此通过引用以其整体并入本文中。

技术领域

本发明总体上涉及一种用于硅晶体生长的系统，并且更具体地，涉及一种用于经由联接至晶体生长室的真空管去除包括杂质的空气的系统。

背景技术

目前的硅晶体生长系统需要恒定且经常地清洁以去除杂质，所述杂质包括硅晶体生长的副产物，即，氧化硅(SiO)。通常，在每一次运行硅晶体生长之后都需要清洁处理，这是晶体生长器正常维护的一部分。问题在于，当前的晶体生长系统需要并实施清洁处理，这由于在运行之间的清洁时间通常较长而阻碍了用于生长晶体的运行时间。例如，在每次运行之后，清洁人员需要人工干预以对多个主真空管中的每一个进行彻底清洁。在每次晶体生长运行之后的每次清洁的频率和时长，大大延迟了下一次运行的开始，因而使目前的硅晶体生长系统效率低下。

因此，亟需提供一种防止或减少以上和其他问题的清洁系统。

发明内容

根据本公开的一个实施方式，用于硅晶体生长的真空系统包括硅晶体生长室和第一真空管，该第一真空管联接至所述室并且在内部具有第一刷，所述第一刷在第一方向上是可移动的，以去除内部氧化物。系统还包括第二真空管，该第二真空管联接至第一真空管以经由第一刷接收内部氧化物。第二真空管在内部具有第二刷，所述第二刷在不同于第一方向的第二方向上是可移动的，第二刷远离第一真空管地传输所接收的内部氧化物。系统还包括联接至第二真空管的氧化物容器，以经由第二刷接收内部氧化物。

根据本公开的另一实施方式，一种用于硅晶体生长的真空系统包括硅晶体生长室和竖直真空管，其中，硅晶体生长室在真空环境中进行操作，竖直真空管联接至所述室并且在内部包括竖直刷。竖直刷具有竖直刷毛元件，该竖直刷毛元件能够绕竖直真空管的中心轴线可旋转地移动，竖直刷毛元件响应于移动、与竖直真空管的内表面的摩擦接触，来去除沉积的氧化物。系统还具有联接至竖直真空管以接收氧化物的水平真空管，水平真空管在内部包括水平刷，水平刷具有能够绕水平真空管的中心轴线可旋转地移动的螺旋钻组件。螺旋钻组件具有水平刷毛元件，水平刷毛元件进行移动、与水平真空管的内表面摩擦接触，以沿着水平真空管传输氧化物。系统还包括联接至水平真空管的氧化物容器，用于收集从水平真空管接收的氧化物。

根据本公开的又一实施方式，一种方法旨在清洁真空系统，并且包括在真空环境中操作硅晶体生长室以及沿着第一真空管的内表面可旋转地移动第一刷以去除内部氧化物。第一真空管具有在第一方向上定向的第一轴线。该方法还包括在第二真空管内接收来自第一真空管的内部氧化物。第二真空管具有在与第一方向不同的第二方向上定向的第二轴线。该方法还包括沿着第二真空管的内表面可旋转地移动第二刷以使内部氧化物在内部移动，以及将内部氧化物收集在与第二真空管联接的容器中。

根据参考附图对各种实施方式的详细描述，本公开的附加方面对于本领域普通技术人员将是显而易见的，在下面提供其简要描述。

附图说明

图1是用于硅晶体生长的真空系统的立体图。

图2是在图1中所示系统的右侧视图。

图3是图1的真空系统的主动清洁真空系统的立体图。

图4是在图3的“细节4”中所示的竖直旋转刷的顶部的放大立体图。