[发明专利]碳化硅外延层及其刻蚀方法、碳化硅器件在审
| 申请号： | 201911179714.2 | 申请日： | 2019-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112967929A | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 席韡;刘奇斌 | 申请（专利权）人： | 上海积塔半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;C23F1/12 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;林嵩 |
| 地址： | 200131 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 外延 及其 刻蚀 方法 器件 | ||
1.一种碳化硅外延层的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法包括：
在碳化硅外延层上形成设定刻蚀图形的掩膜；
采用刻蚀气体对所述碳化硅外延层进行刻蚀处理；
其中，所述刻蚀气体为与所述碳化硅外延层发生反应后会产生聚合物的气体；
所述聚合物附着在所述掩膜中所述设定刻蚀图形的底部和侧壁上。
2.如权利要求1所述的碳化硅外延层的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀气体包括氯气、氩气和溴化氢。
3.如权利要求2所述的碳化硅外延层的刻蚀方法，其特征在于，所述溴化氢占全部所述刻蚀气体的气体流量的10％～20％。
4.如权利要求2所述的碳化硅外延层的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀气体中的氯气与氩气的气体流量比例为1:1。
5.如权利要求1所述的碳化硅外延层的刻蚀方法，其特征在于，所述在碳化硅外延层上形成设定刻蚀图形的掩膜的步骤包括：
在所述碳化硅外延层上制备厚度均匀的阻挡层；
在所述阻挡层的上表面均匀涂布光阻，并对涂布光阻后的所述阻挡层进行曝光和显影处理；
对曝光和显影处理后的所述阻挡层进行刻蚀处理，获取具有所述设定刻蚀图形的所述掩膜。
6.如权利要求5所述的碳化硅外延层的刻蚀方法，其特征在于，所述阻挡层包括氧化硅阻挡层，所述掩膜包括氧化硅掩膜。
7.如权利要求5所述的碳化硅外延层的刻蚀方法，其特征在于，所述阻挡层包括光刻胶，所述掩膜包括光刻胶掩膜。
8.一种碳化硅外延层，其特征在于，所述碳化硅外延层采用权利要求1至7中任意一项所述的碳化硅外延层的刻蚀方法得到。
9.一种碳化硅器件，其特征在于，所述碳化硅器件包括权利要求8所述的碳化硅外延层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海积塔半导体有限公司，未经上海积塔半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911179714.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电子设备及其驱动方法、驱动模块、计算机可读存储介质
- 下一篇：摄像机
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
