[发明专利]过热保护电路以及具备该过热保护电路的半导体装置有效
申请号: | 201911180499.8 | 申请日: | 2019-11-27 |
公开(公告)号: | CN111258364B | 公开(公告)日: | 2023-09-15 |
发明(设计)人: | 坂口薰 | 申请(专利权)人: | 艾普凌科有限公司 |
主分类号: | G05F1/567 | 分类号: | G05F1/567 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 邓毅;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 过热 保护 电路 以及 具备 半导体 装置 | ||
1.一种过热保护电路,其保护半导体装置不过热,其特征在于,该过热保护电路具备:
感温元件,其流过与所述半导体装置的温度对应的感温电流;
第一恒流源,其向所述感温元件提供第一恒定电流;
第一晶体管,其设置在所述感温元件与所述第一恒流源之间;
输出电流检测电路,其利用基于与所述半导体装置的输出电流对应的感应电流的电压,控制所述第一晶体管的栅极电压;以及
输出电路,其具有反相器电路,输出基于所述感温电流和所述第一恒定电流的比较结果的过热检测信号,所述反相器电路的输入端子连接于所述第一恒流源与所述第一晶体管的节点,
所述过热保护电路还具备第四晶体管,所述输出电流检测电路的输出端子连接于所述第四晶体管的栅极及漏极、以及所述第一晶体管的栅极,所述第四晶体管的源极与接地端子连接,
所述输出电流检测电路向所述第四晶体管的漏极输出与所述半导体装置的输出电流成比例的所述感应电流,所述第四晶体管向所述第一晶体管的栅极输出与所述感应电流对应地连续变化的感应电压,
利用所述第一晶体管而与所述半导体装置的输出电流对应地限制所述感温电流。
2.根据权利要求1所述的过热保护电路,其特征在于,
所述输出电流检测电路具备:
第二晶体管,其栅极被输入与所述半导体装置的输出电流对应的电压;和
第二恒流源,其限制所述第二晶体管的电流。
3.根据权利要求2所述的过热保护电路,其特征在于,
所述输出电流检测电路具备第三晶体管,该第三晶体管与所述第二晶体管并联连接,该第三晶体管的栅极被输入与所述过热检测信号对应的电压,
在所述输出电路输出所述过热检测信号的期间,所述第三晶体管导通,控制所述第一晶体管的栅极电压,使得所述第一晶体管流过与所述半导体装置的输出电流无关的规定电流。
4.一种半导体装置,其特征在于,该半导体装置具备:
输出晶体管;
驱动电路,其向所述输出晶体管的栅极输出控制电压;以及
权利要求1至3中的任一项所述的过热保护电路,其根据所述驱动电路的控制电压来控制所述输出晶体管的栅极电压。
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