[发明专利]用于太赫兹折叠波导微结构的制备方法

权利要求书

1.一种用于太赫兹折叠波导微结构的制备方法，其特征在于，包括：

步骤M1：在经过精密抛光的基板表面光刻制备太赫兹折叠波导微结构粘合层；

步骤M2：在太赫兹折叠波导微结构粘合层上，制备第一层太赫兹折叠波导微结构掩模和电子注通道芯模定位结构；

步骤M3：在第一层太赫兹折叠波导微结构掩模间隔中制备第一层太赫兹折叠波导微结构；通过减薄抛光处理，使第一层太赫兹折叠波导微结构厚度达到预设值；

步骤M4：将电子注通道芯模与电子注通道芯模定位结构对准并在相应位置点胶固定，完成电子注通道芯模准确转移；

步骤M5：在第一层太赫兹折叠波导微结构和电子注通道芯模上，制备第二层太赫兹折叠波导微结构掩模；

步骤M6：在第二层太赫兹折叠波导微结构掩模间隔中制备第二层太赫兹折叠波导微结构，通过减薄抛光处理，使基板上的太赫兹折叠波导微结构厚度达到预期波导腔总厚度；

步骤M7：去除第一层太赫兹折叠波导微结构掩模、电子注通道芯模定位结构、电子注通道芯模和第二层太赫兹折叠波导微结构掩模，形成太赫兹折叠波导微结构。

2.根据权利要求1所述的一种用于太赫兹折叠波导微结构的制备方法，其特征在于，所述步骤M1包括：通过光刻技术在经过精密抛光处理的基板表面制备太赫兹折叠波导微结构粘合层；所述太赫兹折叠波导微结构粘合层所使用的材料包括聚酰亚胺负性光刻胶。

3.根据权利要求1所述的一种用于太赫兹折叠波导微结构的制备方法，其特征在于，所述基板包括铍青铜合金基板或铜基板。

4.根据权利要求1所述的一种用于太赫兹折叠波导微结构的制备方法，其特征在于，所述步骤M2包括：采用SU-8厚胶光刻技术在太赫兹折叠波导微结构粘合层上，套刻制备第一层太赫兹折叠波导微结构掩模和电子注通道芯模定位结构。

5.根据权利要求1所述的一种用于太赫兹折叠波导微结构的制备方法，其特征在于，所述步骤M3包括：

步骤M3.1：采用微电铸技术在第一层太赫兹折叠波导微结构掩模中制备铜合金第一层太赫兹折叠波导微结构；

步骤M3.2：利用化学机械抛光技术对采用SU-8厚胶光刻技术制备的光刻胶和采用微电铸技术制备的电铸铜合金的异质表面进行减薄抛光处理，使第一层太赫兹折叠波导微结构厚度达到预设值。

6.根据权利要求5所述的一种用于太赫兹折叠波导微结构的制备方法，其特征在于，所述微电铸技术制备的电铸铜合金包括为银铜合金。

7.根据权利要求1所述的一种用于太赫兹折叠波导微结构的制备方法，其特征在于，所述步骤M4包括：

将含有第一层太赫兹折叠波导微结构的基板固定在预置转移机构上，通过调节预置转移机构的三维坐标将电子注通道芯模与电子注通道芯模定位结构对准并在相应位置点胶固定，完成电子注通道芯模准确转移；

所述预置转移机构为利用三维坐标移动平台构成的可以固定基板进行电子注芯模转移的工作平台；

所述电子注通道芯模为直径为预设值的聚合物丝，材料包括聚碳酸酯、聚酯纤维和聚四氟乙烯。

8.根据权利要求1所述的一种用于太赫兹折叠波导微结构的制备方法，其特征在于，所述步骤M5包括：

采用SU-8厚胶光刻技术在第一层太赫兹折叠波导微结构和电子注通道芯模上，套刻制备第二层太赫兹折叠波导微结构掩模。

9.根据权利要求1所述的一种用于太赫兹折叠波导微结构的制备方法，其特征在于，所述步骤M6包括：

步骤M6.1：采用微电铸技术在第二层太赫兹折叠波导微结构掩模中制备铜合金第二层太赫兹折叠波导微结构；

步骤M6.2：采用化学机械抛光技术对采用SU-8厚胶光刻技术制备的光刻胶和采用微电铸技术制备的电铸铜合金的异质表面进行减薄抛光处理，使基板上的太赫兹折叠波导微结构厚度达到预期波导腔总厚度；

所述微电铸技术制备的电铸铜合金包括为银铜合金。