[发明专利]从衬底斜面边缘区域去除金属沉积物的方法以及使用该方法的设备

权利要求书

1.一种从衬底的斜面边缘区域去除金属沉积物的方法，包括：

在所述衬底的斜面边缘区域上沉积牺牲层，所述衬底具有正面和背面；

在所述衬底和所述牺牲层上沉积金属层；

蚀刻所述牺牲层上的所述金属层；和

将所述衬底放置在具有湿蚀刻流体的湿蚀刻设备中，以去除所述衬底背面的所述牺牲层和所述牺牲层上的所述金属层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述牺牲层的沉积和所述金属层的蚀刻在同一设备中执行。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述牺牲层沉积在所述衬底的正面的从所述衬底的最外周斜面边缘到从所述衬底的最外周斜面边缘开始的正面沉积距离之间区域以及从所述衬底的最外周斜面边缘到从所述衬底的最外周斜面边缘开始的背面沉积距离之间的区域，并且所述背面沉积距离大于所述正面沉积距离。

4.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法，其中，所述牺牲层的所述背面沉积距离距最外周的斜面边缘等于或大于约2毫米，并且所述牺牲层的所述正面沉积距离距最外周的斜面边缘等于或小于2毫米。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，所述金属层仅部分地覆盖所述衬底的背面处的所述牺牲层，并且所述牺牲层的至少一部分在所述衬底的背面处暴露于所述湿法蚀刻流体中。

6.如权利要求1所述的方法，还包括用所述湿法蚀刻流体蚀刻所述衬底，其中，在用所述湿法蚀刻流体蚀刻所述衬底之后，所述牺牲层的一部分保留在所述衬底的正面。

7.根据权利要求1所述的方法，其中将所述衬底放置在所述湿法蚀刻设备中包括将所述衬底的背面向上放置。

8.根据权利要求1所述的方法，其中在所述牺牲层上蚀刻所述金属层包括在所述衬底的正面选择性地执行湿法蚀刻以去除在所述衬底的正面处的所述金属层。

9.根据权利要求1所述的方法，其中在所述牺牲层上蚀刻所述金属层包括使用靠近所述最外周斜面边缘区域附近的等离子体来选择性地执行干法蚀刻。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述干法蚀刻的强度和/或持续时间对应于所述牺牲层的厚度。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其中，所述金属层是磁性隧道结层，并且所述牺牲层是氧化物层。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述金属层包含Pt、Ru、钛-镍氧化物、铜和/或银。

13.一种从衬底的斜面边缘区域去除金属沉积物的设备，该设备包括一个或多个处理室，以及

上工艺排斥区环和下工艺排斥区环，所述上工艺排斥区环和下工艺排斥区环分别可定位成接近所述衬底的正面的表面和所述衬底的背面的表面，其中所述上工艺排斥区环和下工艺排斥区环被独立选择以暴露所述衬底的正面和所述衬底的背面的不同轮廓以进行处理，以及控制器，该控制器包括一个或多个处理器，该一个或多个处理器与存储器通信连接并且与所述上工艺排斥区环和下工艺排斥区环通信连接，其中所述存储器包括计算机可执行指令，该指令用于使所述上工艺排斥区环和下工艺排斥区环露出所述衬底的正面和背面的轮廓，以用于

在所述衬底的斜面边缘区域上沉积牺牲层；

在所述衬底和所述牺牲层上沉积金属层；

蚀刻所述牺牲层上的所述金属层；和

将所述衬底放置在具有湿蚀刻流体的湿蚀刻设备中，以去除所述衬底背面的所述牺牲层和所述牺牲层上的所述金属层。