[发明专利]一种氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化方法有效

专利信息
申请号: 201911181492.8 申请日: 2019-11-27
公开(公告)号: CN110993485B 公开(公告)日: 2022-06-10
发明(设计)人: 王斌;贺贤汉;欧阳鹏;孙泉;马敬伟;戴洪兴 申请(专利权)人: 江苏富乐华半导体科技股份有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L21/48
代理公司: 上海申浩律师事务所 31280 代理人: 赵建敏
地址: 224200 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 氮化 陶瓷 覆铜基板 表面 钝化 方法
【权利要求书】:

1.一种氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化方法,其特征在于,在完成图形蚀刻以后进行氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化,去除产品表面亲水性键合结构Si-OH,降低氮化硅表面漏电流随环境变化的漂移值;

步骤一,用1%~5%浓度氢氟酸溶液将氮化硅陶瓷覆铜基板浸泡钝化,步骤一中,浸泡钝化的时间为10~20min;

步骤二,氮化硅陶瓷覆铜基板用去离子水超声浸泡清洗;

步骤三,氮化硅陶瓷覆铜基板用异丙醇浸泡清洗;步骤三中,浸泡清洗时间为1~5min;

步骤四,将氮化硅陶瓷覆铜基板热风烘干。

2.根据权利要求1所述的一种氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化方法,其特征在于:步骤一中,1%~5%浓度氢氟酸溶液采用49%的氢氟酸溶液稀释获得。

3.根据权利要求1所述的一种氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化方法,其特征在于:步骤二中,浸泡清洗时间为3~5min。

4.根据权利要求1所述的一种氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化方法,其特征在于:步骤四中,热风烘干的温度为80±5℃,时间5~10min。

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