[发明专利]一种氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化方法有效
申请号: | 201911181492.8 | 申请日: | 2019-11-27 |
公开(公告)号: | CN110993485B | 公开(公告)日: | 2022-06-10 |
发明(设计)人: | 王斌;贺贤汉;欧阳鹏;孙泉;马敬伟;戴洪兴 | 申请(专利权)人: | 江苏富乐华半导体科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/48 |
代理公司: | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人: | 赵建敏 |
地址: | 224200 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氮化 陶瓷 覆铜基板 表面 钝化 方法 | ||
1.一种氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化方法,其特征在于,在完成图形蚀刻以后进行氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化,去除产品表面亲水性键合结构Si-OH,降低氮化硅表面漏电流随环境变化的漂移值;
步骤一,用1%~5%浓度氢氟酸溶液将氮化硅陶瓷覆铜基板浸泡钝化,步骤一中,浸泡钝化的时间为10~20min;
步骤二,氮化硅陶瓷覆铜基板用去离子水超声浸泡清洗;
步骤三,氮化硅陶瓷覆铜基板用异丙醇浸泡清洗;步骤三中,浸泡清洗时间为1~5min;
步骤四,将氮化硅陶瓷覆铜基板热风烘干。
2.根据权利要求1所述的一种氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化方法,其特征在于:步骤一中,1%~5%浓度氢氟酸溶液采用49%的氢氟酸溶液稀释获得。
3.根据权利要求1所述的一种氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化方法,其特征在于:步骤二中,浸泡清洗时间为3~5min。
4.根据权利要求1所述的一种氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化方法,其特征在于:步骤四中,热风烘干的温度为80±5℃,时间5~10min。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造