[发明专利]电子装置在审
申请号: | 201911181505.1 | 申请日: | 2019-11-27 |
公开(公告)号: | CN112864143A | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
发明(设计)人: | 陈嘉源;蔡宗翰;李冠锋;吴湲琳 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/50;H01L33/48;H01L33/54;H01L33/56 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 罗英;臧建明 |
地址: | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 装置 | ||
本发明提供一种电子装置包括一基板以及至少一发光单元。发光单元包括发光二极管、保护层以及光转换层。保护层包括具有断面的部分,且所述部分在电子装置俯视方向上与发光二极管不重叠。本揭露的电子装置可提供减缓发光二极管受到外界或后续制程影响、可提高发旋光性能、可靠度的电子装置。
技术领域
本发明涉及一种电子装置。
背景技术
电子产品已成为现代社会不可或缺的必需品。随着这类电子产品的蓬勃发展,消费者对这些产品的质量、功能或价格抱有很高的期望。
因此,电子产品需被改良,然而目前的电子产品仍存在一些问题需要解决。
发明内容
本揭露是针对一种电子装置及其制造方法,提供可减缓发光二极管受到外界或后续制程影响的电子装置、或提高发旋旋光性能、或提高可靠度的电子装置,但不限于此。
根据本揭露的实施例,电子装置包括一基板以及至少一发光单元。发光单元包括发光二极管、保护层以及光转换层。保护层包括具有断面且在电子装置俯视方向上与发光二极管不重叠的部分。
附图说明
包含附图以便进一步理解本发明,且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本发明的实施例,并与描述一起用于解释本发明的原理。
图1为本揭露一实施例的电子装置的剖面示意图;
图2A至图2G为本揭露一实施例的电子装置的局部制作流程的俯视示意图;
图3A至图3G为沿图2A至图2G中AA’剖面线的剖面示意图;
图4A至图4B为本揭露中一实施例的电子装置的剖面示意图;
图5A至图5C为本揭露中一实施例的电子装置中发光单元的剖面示意图;
图6为本揭露中一实施例的电子装置的剖面示意图;
图7A为本揭露中一实施例的电子装置的俯视示意图;
图7B为沿图7A中AA’剖面线的剖面示意图;
图8A为本揭露中一实施例的电子装置中发光单元的剖面示意图;
图8B与图8C为本揭露中一实施例中发光单元的剖面示意图;
图9A为本揭露中一实施例的电子装置的俯视示意图;
图9B为本揭露中一实施例的电子装置的俯视示意图;
图10A与图10B为本揭露中一实施例的保护层的局部制作流程的俯视示意图;
图11A与图11B为图10A与图10B中AA’剖面线的剖面示意图;
图12为本揭露中一实施例的电子装置的剖面示意图。
附图标号说明
100、400、500、700A、700B、800、920、990:电子装置;
102:基板;
104、420、520、600A、600B、600C、804、900A、900B、900C、904、910A、910B:发光单元;
110、810:发光二极管;
112:第一掺杂半导体层;
112a、112b、112c、112d:第一掺杂半导体图案;
114:主动层;
116:第二掺杂半导体层;
120、920:光转换层固定结构;
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