[发明专利]一种新型钙钛矿电池及其制备方法在审
申请号: | 201911181618.1 | 申请日: | 2019-11-27 |
公开(公告)号: | CN111081881A | 公开(公告)日: | 2020-04-28 |
发明(设计)人: | 朱煜剑 | 申请(专利权)人: | 徐州吴瑞信息科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
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地址: | 221000 江苏省徐州市泉*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 钙钛矿 电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种新型钙钛矿电池的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
1)提供一ITO导电玻璃,首先在所述ITO导电玻璃上旋涂Ti3C2掺杂的SnO2胶体溶液,并进行第一次退火处理,以形成电子传输层,其中所述第一次退火处理的具体步骤为:将旋涂Ti3C2掺杂的SnO2胶体溶液的所述ITO导电玻璃置于夹具中,以20-40℃/min升温至140-150℃,同时以2-4N/min的速率将夹具对所述ITO导电玻璃的压力增至8-20N,保持20-40分钟,以得到所述电子传输层;
2)接着在所述电子传输层上旋涂钙钛矿前驱体溶液,并进行第二次退火处理,以形成钙钛矿功能层,其中所述第二次退火处理的具体步骤为:将旋涂钙钛矿前驱体溶液的所述ITO导电玻璃置于夹具中,以20-30℃/min升温至60-80℃,同时以2-3N/min的速率将夹具对所述ITO导电基底的压力增至6-12N,保持10-15分钟,接着以10-20℃/min升温至90-100℃,同时以2-4N/min的速率将夹具对所述ITO导电基底的压力增至16-24N,保持20-30分钟,以得到所述钙钛矿功能层;
3)接着在所述钙钛矿功能层上旋涂Spiro-OMeTAD溶液,并进行第三次退火处理,以形成第一空穴传输层,其中所述第三次退火处理的具体步骤为:将旋涂Spiro-OMeTAD溶液的所述ITO导电玻璃置于夹具中,在80-90℃的条件下,以3-5N/min的速率将夹具对所述ITO导电玻璃的压力增至15-25N,保持10-15分钟,以得到所述第一空穴传输层;
4)接着在所述钙钛矿功能层上旋涂PEDOT:PSS溶液,并进行第四次退火处理,以形成第二空穴传输层,其中所述第四次退火处理的具体步骤为:将旋涂PEDOT:PSS溶液的所述ITO导电玻璃置于夹具中,以30-40℃/min升温至130-150℃,同时以2-5N/min的速率将夹具对所述ITO导电基底的压力增至12-20N,保持25-35分钟,以得到所述第二空穴传输层;
5)接着在所述第二空穴传输层上形成金属电极。
2.根据权利要求1所述的新型钙钛矿电池的制备方法,其特征在于:在所述步骤1)中,所述Ti3C2掺杂的SnO2胶体溶液中SnO2胶体的质量浓度为2.5-3.5%,Ti3C2的质量浓度为0.2-0.3%,旋涂所述Ti3C2掺杂的SnO2胶体溶液的转速为2500-3500转/分钟,旋涂的时间为1-2分钟,在所述第一次退火处理之后对所述ITO导电玻璃进行紫外臭氧处理20-30分钟。
3.根据权利要求1所述的新型钙钛矿电池的制备方法,其特征在于:在所述步骤2)中,配置所述钙钛矿前驱体溶液的步骤为:将碘甲胺、碘化铅和DMSO按照1:1:1的摩尔比为条件混合,并按30-45%的质量浓度溶于DMF中,在40-50℃下搅拌2-3小时,然后加入适量的硫氰酸钾溶液,以获得硫氰酸钾掺杂的钙钛矿前驱体溶液,旋涂所述钙钛矿前驱体溶液的转速为3000-4000转/分钟,旋涂钙钛矿前驱体溶液的时间为1-2分钟。
4.根据权利要求1所述的新型钙钛矿电池的制备方法,其特征在于:在所述步骤3)中,所述Spiro-OMeTAD溶液中Spiro-OMeTAD的浓度为10-15mg/ml,旋涂所述Spiro-OMeTAD溶液的转速为2500-3500转/分钟,旋涂的时间为1-2分钟。
5.根据权利要求1所述的新型钙钛矿电池的制备方法,其特征在于:在所述步骤4)中,所述PEDOT:PSS溶液中PEDOT:PSS的浓度为20-30mg/ml,旋涂所述PEDOT:PSS溶液的转速为2000-3000转,旋涂的时间为1-2分钟。
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