[发明专利]一种选通管材料、选通管单元以及其制作方法

权利要求书

1.一种选通管材料，其特征在于，所述选通管材料为包括锗(Ge)、硒(Se)和硫(S)三种元素的化合物；

所述选通管材料的化学通式为GeSe_xS_1-x，其中，X为元素的原子占比，且0.01≤X≤0.99。

2.根据权利要求1所述的选通管材料，其特征在于，在所述GeSe_xS_1-x中，0.5≤X≤0.99。

3.根据权利要求1所述的选通管材料，其特征在于，所述选通管材料在电信号的操作下能够实现高阻态到低阻态的瞬时转变，且在撤去电信号时瞬时返回高阻态。

4.一种选通管单元，其特征在于，包括第一电极层(2)、第二电极层(3)和利用权利要求1～3任一项所述的选通管材料制作的选通管材料层(1)；

所述选通管材料层(1)的顶部设有所述第一电极层(2)，所述选通管材料层(1)的底部设有所述第二电极层(3)。

5.根据权利要求4所述的选通管单元，其特征在于，所述第一电极层(2)包括钛(Ti)、氮化钛(TiN)、银(Ag)、金(Au)、铜(Cu)、铝(Al)和钨(W)中的一种或者多种；

和/或；

所述第二电极层(3)包括钛(Ti)、氮化钛(TiN)、银(Ag)、金(Au)、铜(Cu)、铝(Al)和钨(W)中的一种或者多种。

6.根据权利要求4所述的选通管单元，其特征在于，所述选通管材料层(1)的厚度为2纳米～100纳米。

7.根据权利要求4所述的选通管单元，其特征在于，还包括过渡层；

所述过渡层设于所述选通管材料层(1)与所述第一电极层(2)之间，或，所述过渡层设于所述选通管材料层(1)与所述第二电极层(3)之间。

8.根据权利要求7所述的选通管单元，其特征在于，所述过渡层的厚度为大于或者等于1纳米。

9.一种如权利要求4～8任一项所述的选通管单元的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

制备第一电极层(2)；

在所述第一电极层(2)的表面制备所述选通管材料层(1)；

在所述选通管材料层(1)的表面形成所述第二电极层(3)。

10.根据权利要求9所述的选通管单元的制作方法，其特征在于，

通过溅射法、蒸发法、化学气相沉积法、等离子体增强化学气相沉积法、低压化学气相沉积法、金属化合物气相沉积法、分子束外延法、原子气相沉积法或原子层沉积法在所述选通管材料层上形成所述第一电极层(2)；

和/或；

通过溅射法、蒸发法、化学气相沉积法、等离子体增强化学气相沉积法、低压化学气相沉积法、金属化合物气相沉积法、分子束外延法、原子气相沉积法或原子层沉积法在所述选通管材料层上形成所述第二电极层(3)。