[发明专利]半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于，所述半导体元件包括：

衬底，具有多数个有源区域；

至少一介电层，形成于所述衬底上；以及

多数个接触窗，位于所述介电层中并连接至所述多数个有源区域，其中各所述接触窗是桶状结构，所述桶状结构具有中段部、顶部以及底部，其中所述顶部的周长小于所述中段部的周长，所述底部的周长小于所述中段部的所述周长。

2.根据权利要求1所述的半导体元件，其中所述中段部接近所述顶部的部位具有往所述顶部渐缩的宽度。

3.根据权利要求2所述的半导体元件，其中所述中段部接近所述顶部的所述部位的宽度缩减比例在10％～25％之间。

4.根据权利要求1所述的半导体元件，其中所述中段部接近所述底部的部位有阶梯状剖面。

5.根据权利要求1所述的半导体元件，其中所述顶部的周长大于或等于所述底部的周长。

6.根据权利要求4所述的半导体元件，其中所述阶梯状剖面包括阶底与侧壁，所述侧壁连接所述阶底与所述桶状结构的所述底部。

7.根据权利要求6所述的半导体元件，其中所述阶梯状剖面的所述侧壁为锥形侧壁。

8.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

在衬底中定义多数个有源区域；

在所述衬底上形成至少一介电层；

在所述至少一介电层内形成多数个开口并露出所述多数个有源区域；

通入第一氧等离子体与第一氟等离子体，以去除所述多数个开口内的副产物并氧化所述多数个开口的内面；

通入第二氧等离子体与第二氟等离子体，以去除经氧化的所述内面而扩大所述多数个开口并同时修补所述有源区域；

通入第三氧等离子体，以氧化经扩大的所述多数个开口的内面而形成氧化层；

去除所述氧化层，以形成多数个接触窗洞，其中两相邻所述接触窗洞的剖面结构包括柱头、柱座以及介于所述柱头与所述柱座之间的柱身，且所述柱身的宽度小于所述柱座的宽度以及小于所述柱头的宽度；

在所述衬底上沉积导体材料并填满所述多数个接触窗洞；以及

平坦化所述导体材料，以于所述多数个接触窗洞内形成多数个接触窗。

9.根据权利要求8所述的半导体元件的制造方法，其中各所述接触窗洞的孔径是各所述开口的所述孔径的1.05倍～2倍。

10.根据权利要求8所述的半导体元件的制造方法，其中产生所述第二氟等离子体的气体流量大于产生所述第一氟等离子体的气体流量。

11.根据权利要求8所述的半导体元件的制造方法，其中各所述接触窗洞在所述柱座与所述柱身之间有阶梯状剖面。