[发明专利]一种新型单面发光LED的制造方法

说明书

本发明涉及一种新型单面发光LED的制造方法，按照以下步骤实现：步骤S1：将LED芯片安装在基板上完成共晶半成品材料的制备、配备好白胶；步骤S2：通过层压白胶工艺或涂覆白胶工艺，将白胶粘贴或是涂覆在共晶半成品上，完成芯片四个侧面的出光遮挡；步骤S3：通过研磨制程，使白胶与LED芯片高度齐平，漏出LED芯片的正面，以达到实现单面出光的目的；步骤S4：在LED芯片的正面贴PIG/PIS；增加扩散层或是Lens；步骤S5：通过切割等方式将材料分割成单颗LED。可有效避免传统点胶方式，提升产能白胶胶面平整，产品出光一致性好。PIG/PIS上不会出现爬白胶的情况，能有效提升产品良率。有效滤掉芯片侧面杂光，利于二次光学配光。

技术领域

本发明涉及LED封装技术领域，特别是一种新型单面发光LED的制造方法。

背景技术

现有单面发光LED器件多采用先在芯片正面贴PIG或PIS，然后在芯片四个侧边点白胶，以达到遮挡侧面出光、从而实现单面发光的目的。但此种制造方法，存在以下缺点：点白胶效率较低，胶量不易控制，白胶胶面不平整，PIG/PIS上容易出现爬白胶的情况。

发明内容

为解决上述问题，本发明的目的是提供一种新型单面发光LED的制造方法，实现白胶涂抹均匀，胶面平整。

本发明实施例中采用以下方案实现：提供一种新型单面发光LED的制造方法，按照以下步骤实现：

步骤S1：将LED芯片安装在基板上完成共晶半成品材料的制备，并配备好白胶；

步骤S2：通过层压白胶工艺或涂覆白胶工艺，将白胶粘贴或是涂覆在共晶半成品上，完成LED芯片四个侧面的出光遮挡；

步骤S3：通过研磨制程，使白胶与LED芯片高度齐平，漏出LED芯片的正面，以达到实现单面出光的目的；

步骤S4：在LED芯片的正面贴PIG/PIS；增加扩散层或是Lens；

步骤S5：通过切割等方式将材料分割成单颗LED。

本发明一实施例中，所述步骤S1中的白胶为钛白粉、胶水与溶剂制成。

本发明一实施例中，所述步骤S2中

所述层压白胶工艺：使用刮膜机将配备好的白胶制成白胶胶膜，将白胶胶膜烤干，贴在共晶半成品上；

涂覆白胶工艺：使用刮膜机直接将配备好的白胶涂覆在共晶半成品上，并烤干。

本发明一实施例中，所述步骤S2中，需要控制白胶的厚度高于共晶半成平成品的芯片高度10～20um，既能保证研磨的芯片。

本发明一实施例中，所述步骤S4中，在LED芯片的正面贴PIG/PIS，该工艺过程在制作白光的LED时需要，其他颜色的不需要该工艺过程。

本发明的有益效果：本发明提供一种新型单面发光LED的制造方法，可有效避免传统点胶方式，提升产能白胶胶面平整，产品出光一致性好。PIG/PIS上不会出现爬白胶的情况，能有效提升产品良率。有效滤掉芯片侧面杂光，利于二次光学配光。

附图说明

图1是一种新型单面发光LED的制造方法流程图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明做进一步说明。

请参阅图1至，本发明提供一种新型单面发光LED的制造方法，按照以下步骤实现：

步骤S1：将LED芯片2安装在基板1上完成共晶半成品材料的制备，并配备好白胶3，白胶为钛白粉等+胶水+溶剂配置而成；