[发明专利]框架一体型掩模的制造装置有效
申请号: | 201911183001.3 | 申请日: | 2019-11-27 |
公开(公告)号: | CN111230295B | 公开(公告)日: | 2021-12-24 |
发明(设计)人: | 李裕进;李炳一 | 申请(专利权)人: | TGO科技株式会社 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;C23C14/04;C23C14/12 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 姜虎;陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 框架 体型 制造 装置 | ||
1.一种框架一体型掩模的制造装置,其特征在于,包括:
工作台部,其用于安置并支撑框架;
夹具部,其用于夹紧粘合且支撑有掩模的模板,该掩模以临时粘合部为媒介粘合在模板的一面上;
夹具移动部,其向X、Y、Z、θ轴中的至少一个方向移动夹具部;
头部,其用于向掩模的焊接部照射激光,且用于感应掩模的对准状态;以及
头移动部,其向X、Y、Z轴中的至少一个方向移动头部,
夹具部对模板中的粘合有掩模的一面的相反面的至少一部分进行吸附并夹紧。
2.如权利要求1所述的框架一体型掩模的制造装置,其特征在于,
还包括预热部,所述预热部在夹具部夹紧模板之前,提供用于预热粘合且支撑有掩模的模板的空间。
3.如权利要求1所述的框架一体型掩模的制造装置,其特征在于,
工作台部包括用于使包括框架的工艺区域的温度上升至第一温度的加热单元。
4.如权利要求1所述的框架一体型掩模的制造装置,其特征在于,
工作台部包括用于对准框架的位置的框架对准单元。
5.如权利要求1所述的框架一体型掩模的制造装置,其特征在于,夹具部包括:
夹具单元,其用于夹紧模板;
夹具移动单元,其向X、Y、Z、θ轴中的至少一个方向移动夹具单元;以及
连接单元,其用于将夹具移动单元连接至夹具移动部。
6.如权利要求5所述的框架一体型掩模的制造装置,其特征在于,
夹具部还包括向夹紧的模板施加热的夹具加热单元。
7.如权利要求5所述的框架一体型掩模的制造装置,其特征在于,
夹具单元上相距间隔地形成有向模板施加吸附压力的多个吸附单元。
8.如权利要求7所述的框架一体型掩模的制造装置,其特征在于,
多个吸附单元在掩模的焊接部与Z轴的区域上不发生重叠地布置。
9.如权利要求1所述的框架一体型掩模的制造装置,其特征在于,
头部包括激光单元,其通过向掩模照射激光使掩模与框架焊接,或者通过向掩模照射激光进行激光微调。
10.如权利要求9所述的框架一体型掩模的制造装置,其特征在于,
一双激光单元相隔地布置,每个激光单元分别向掩模的一侧、另一侧的焊接部照射激光。
11.如权利要求1所述的框架一体型掩模的制造装置,其特征在于,框架包括:
边缘框架部,其包括中空区域;
掩模单元片材部,其具有多个掩模单元区域,且与边缘框架部连接。
12.如权利要求11所述的框架一体型掩模的制造装置,其特征在于,
与存在掩模单元区域的掩模单元片材部的棱角相隔预定距离的部分上形成有多个吸附孔,工作台部还包括向框架的下部生成吸附压力的下部支撑单元。
13.如权利要求12所述的框架一体型掩模的制造装置,其特征在于,
下部支撑单元的下部布置有加热单元。
14.如权利要求1所述的框架一体型掩模的制造装置,其特征在于,
第一温度大于或者等于OLED像素沉积工艺温度,将掩模附着在框架上之后,将包括框架的工艺区域的温度下降至小于第一温度的第二温度,第一温度是25℃至60℃中的任意一温度,第二温度是小于第一温度的20℃至30℃中的任意一温度,OLED像素沉积工艺温度是25℃至45℃中的任意一温度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造