[发明专利]用于降低多层铜互连阻挡层CMP缺陷的碱性抛光液及其制备方法有效
| 申请号： | 201911184055.1 | 申请日： | 2019-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN111004579B | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 罗翀;王辰伟;徐奕;宋国强;刘玉岭;檀柏梅 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;C09G1/02 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人： | 杨欢 |
| 地址： | 300000 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 降低 多层 互连 阻挡 cmp 缺陷 碱性 抛光 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于降低多层铜互连阻挡层CMP缺陷的碱性抛光液，其特征在于，采用下述方式制备：取磨料质量分数40%硅溶胶250g，其粒径50nm-90nm，分散度±3%在之间；FA/O II螯合剂10g，作为pH值调节剂、缓冲剂和螯合剂，不含金属离子；取脂肪醇聚氧乙烯醚4g；十二烷基硫酸铵2g；十二烷基二甲基氧化胺1.5g；双氧水0.05g；将FA/O II螯合剂、十二烷基硫酸胺、十二烷基二甲基氧化胺、脂肪醇聚氧乙烯醚、双氧水和硅溶胶按组分量依次加入适量去离子水中，通过逐级混合的方式搅拌均匀，最后用去离子水补齐至1000g，继续搅拌均匀即可。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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