[发明专利]半导体功率器件

权利要求书

1.一种半导体功率器件，其特征在于，包括：

n型漏区，位于所述n型漏区之上的n型漂移区，位于所述n型漂移区顶部的至少一个p型体区，位于所述p型体区内的第一n型源区和第二n型源区；

用于控制所述第一n型源区与所述n型漂移区之间的第一电流沟道的开启和关断的第一栅极结构，所述第一栅极结构包括第一栅介质层、第一栅极和n型浮栅，所述第一栅极和所述n型浮栅位于所述第一栅介质层之上，且在横向上，所述n型浮栅位于靠近所述n型漂移区的一侧，所述第一栅极位于靠近所述第一n型源区的一侧并延伸至所述n型浮栅之上，所述第一栅极通过电容耦合作用于所述n型浮栅；位于所述第一栅介质层中的一个开口，所述n型浮栅通过所述开口与所述p型体区接触形成p-n结二极管；

用于控制所述第二n型源区与所述n型漂移区之间的第二电流沟道的开启和关断的第二栅极结构，所述第二栅极结构包括凹陷在所述n型漂移区内的栅沟槽以及位于所述栅沟槽内的第二栅介质层和第二栅极。

2.如权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，所述第一栅极覆盖所述n型浮栅靠近所述n型漂移区一侧的侧壁。

3.如权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，还包括：位于所述栅沟槽中的屏蔽栅，所述第二栅极位于所述栅沟槽的上部，所述屏蔽栅位于所述栅沟槽的下部，所述屏蔽栅通过绝缘介质层与所述第二栅极和所述n型漂移区隔离。

4.如权利要求3所述的半导体功率器件，其特征在于，所述屏蔽栅在所述栅沟槽的下部并向上延伸至所述栅沟槽的上部内。

5.如权利要求4所述的半导体功率器件，其特征在于，所述栅沟槽的上部的宽度大于所述栅沟槽的下部的宽度。

6.如权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，所述开口位于所述n型浮栅下方且靠近所述n型漂移区的一侧。