[发明专利]用于细胞迁移实验的芯片装置、制备方法及实验方法有效

专利信息
申请号: 201911184644.X 申请日: 2020-01-09
公开(公告)号: CN110862905B 公开(公告)日: 2023-03-31
发明(设计)人: 张冀聪;王玄 申请(专利权)人: 北京航空航天大学合肥创新研究院
主分类号: C12M1/00 分类号: C12M1/00;C12N5/00
代理公司: 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 代理人: 苗娟
地址: 230013 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 用于 细胞 迁移 实验 芯片 装置 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种用于细胞迁移实验的芯片装置,其特征在于:包括芯片基层,

所述芯片表面包含多个重复功能单元;

每个功能单元至少包含接种区、隔离区和迁移区三个功能区域;

其中,

所述接种区是细胞起始接种黏附的区域,接种区表面具有疏水性;

所述隔离区是位于接种区外围设置隔离柱体阵列,所述隔离柱体阵列将接种区包围形成一个环形结构,相邻隔离柱体之间保留设定的间隙,隔离柱体外表面具有疏水性;

所述迁移区位于隔离区外围;

接种区表面设置疏水材料,其中疏水材料的滚动角与液面高度及隔离柱体间隙满足以下条件:

设液体表面张力为F,张力系数为γ,液面高度为h,柱体间隙宽为d,柱体与液面相切的角度值为θ,表面张力的作用面积为S,表面张力造成的向液体内部的压强为Pγ,液体对器壁造成的向外的压强为P;

根据拉普拉斯方程的推导:

F=(2h+d)*γ*COS(π-θ)

液体受到的表面张力造成的压强Pγ=F/S=F/dh=(2h+d)*γ*COS(π-θ)/dh

液体对器壁的最大压强P=ρgh

PPγ时液体不溢出;随着液面身高P=Pγ,液面高度达到最大值;当PPγ时液体溢出隔离柱外,隔离作用消失;

则液面高度的最大值其中θ∈(π/2,π)。

2.根据权利要求1所述的用于细胞迁移实验的芯片装置,其特征在于:所述隔离区的相邻柱体之间的设定的间隙尺寸范围是10微米到4毫米。

3.根据权利要求1所述的用于细胞迁移实验的芯片装置,其特征在于:所述隔离柱体的形状是直立柱、椎体、柱体面或底面不规则柱体、底面不规则球面体。

4.根据权利要求1所述的用于细胞迁移实验的芯片装置,其特征在于:所述隔离柱体高度范围为50微米~4毫米;

所述隔离柱体最长径范围是50微米~5厘米;

所述隔离柱体最短径范围是50微米~5厘米。

5.根据权利要求1所述的用于细胞迁移实验的芯片装置,其特征在于:所述迁移区内设置有不同高度、深度、曲率、倾角的界面。

6.根据权利要求1所述的用于细胞迁移实验的芯片装置,其特征在于:所述材料包括PDMS、PS、PC、PP、PE、PET、PEG、PLA、PGA、PLGA、PMMA、COC、COP。

7.根据权利要求1所述的用于细胞迁移实验的芯片装置,其特征在于:

所述接种区为直径4mm的圆形;

所述隔离区为长方柱体,柱底面为边长200微米的正方形,柱体高度为500微米;

所述迁移区为直径200微米,深度60微米的圆坑;

所述芯片基层直径为35mm的圆形,内部包含21个重复单元。

8.根据权利要求1-7任意一项所述的用于细胞迁移实验的芯片装置的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:

S100、首先设计芯片图纸;

S200、再根据图纸进行3D打印或激光刻蚀;或根据图纸制备模具,再用铺膜或注塑的方式进行成品加工;

其中,模塑法制备芯片时:

首先将PDMS溶液与固化剂以10:1的比例混合,真空除泡;

接着将PDMS浇注于模具表面,再次抽真空排除模具内气泡;

最后将模具放入100℃烘箱,恒温两小时,取出冷却、脱模。

9.一种细胞迁移实验方法,采用权利要求1-7任意一项所述的用于细胞迁移实验的芯片装置,其特征在于:

包括以下步骤:

将芯片装置放在6孔板内;

首先将消化好的HUVEC细胞用培养基稀释到5*105/mL的浓度;

接着在每个单元内的接种区内,接种10微升的含细胞的培养基;

培养基被隔离区的柱体限定在接种区内,待细胞黏附稳定后,吸掉隔离区的培养基,向6孔板孔内加入5mL培养基,将芯片装置表面完全浸没;

之后用显微镜记录细胞向迁移区迁移的过程。

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