[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底表面具有牺牲膜；

在所述牺牲膜表面形成第一阻挡层；

在所述第一阻挡层内形成第一开口，所述第一开口暴露出牺牲膜表面；

形成所述第一开口之后，以所述第一阻挡层为掩膜，对所述牺牲膜进行离子注入，使得第一开口暴露出的牺牲膜形成掺杂牺牲层，第一阻挡层底部的牺牲膜形成未掺杂牺牲层。

2.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：形成所述掺杂牺牲层和未掺杂牺牲层之后，去除所述第一阻挡层；去除所述第一阻挡层之后，去除所述未掺杂牺牲层。

3.如权利要求2所述半导体结构的形成方法，其特征在于，采用第一湿法刻蚀工艺去除所述第一阻挡层；所述第一湿法刻蚀工艺的参数包括：刻蚀液包括氢氟酸和双氧水。

4.如权利要求2所述半导体结构的形成方法，其特征在于，采用第二湿法刻蚀工艺去除所述未掺杂牺牲层；所述第二湿法刻蚀工艺的参数包括：蚀刻液包括：氢氟酸、双氧水和氨水。

5.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一阻挡层的材料包括：氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅。

6.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一阻挡层的形成工艺包括：等离子体增强化学气相沉积工艺；所述等离子体增强化学气相沉积工艺的参数包括：通入的气体包括：硅烷、氮气、氨气以及一氧化二氮，气体的流量为500标准毫升/分钟～2000标准毫升/分钟，射频功率为100瓦～250瓦，时间为5秒～10秒。

7.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一阻挡层的厚度范围为5纳米～10纳米。

8.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述牺牲膜进行离子注入的工艺参数包括：掺杂能量为10KeV～30KeV，掺杂剂量为1E7atoms/cm²～3E7atoms/cm²，掺杂时间为30秒～120秒。

9.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：形成第一阻挡层之后，在所述第一阻挡层内形成第一开口之前，在所述第一阻挡层表面形成第二阻挡层，所述第二阻挡层内具有暴露出第一阻挡层表面的第二开口，且所述第二开口的位置对应第一开口的位置；所述半导体结构的形成方法还包括：在形成所述第一开口和第二开口之后，以所述第一阻挡层和第二阻挡层为掩膜，对所述牺牲膜进行离子注入。

10.如权利要求9所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一开口和第二开口的形成方法包括：在所述第二阻挡层表面形成图形化层，所述图形化层暴露出部分第二阻挡层表面；以所述图形化层为掩膜，刻蚀所述第第二阻挡层，直至暴露出第一阻挡层表面，在所述第二阻挡层内形成所述第二开口；形成所述第二开口之后，以所述第二阻挡层为掩膜，刻蚀所述第一阻挡层，直至暴露出牺牲膜表面，在所述第一阻挡层内形成所述第一开口。

11.如权利要求10所述半导体结构的形成方法，其特征在于，以所述图形化层为掩膜刻蚀所述第二阻挡层的刻蚀工艺，与以所述第二阻挡层为掩膜刻蚀所述第一阻挡层的刻蚀工艺为同一刻蚀工艺。

12.如权利要求11所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀工艺包括：干法刻蚀工艺；所述干法刻蚀工艺的参数包括：采用的气体包括：CH_xF_y，其中1＜x＜4，1＜y＜4，且x、y为自然数，氮气、氢气以及氩气，射频功率为50瓦～200瓦，温度为40摄氏度～60摄氏度，时间为5秒～20秒。