[发明专利]发光装置在审
申请号: | 201911185377.8 | 申请日: | 2019-11-27 |
公开(公告)号: | CN111435671A | 公开(公告)日: | 2020-07-21 |
发明(设计)人: | 林小郎;蔡宗翰 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L27/32;H01L33/50 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 侯奇慧 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 | ||
本发明提供了一种发光装置,所述发光装置包括一基板、多个第一光转换单元和一光源。所述光源可发射一光线穿过所述多个第一光转换单元和所述基板以产生一第一光谱。所述第一光谱包括波长范围在520纳米到590纳米之间的一主波峰和波长范围在430纳米到470纳米之间的一第一子波峰。所述基板在所述主波峰的对应波长的一第一透光率大于所述基板在所述第一子波峰的对应波长的一第二透光率。
技术领域
本发明涉及一种发光装置,特别是涉及一种包括光阻挡结构的发光装置。
背景技术
在传统的发光装置中,通常使用入射光激发光转换材料(例如量子点),且入射光可被转换成具有不同波长的另一光线。然而,光转换材料的转换效率可不为100%,导致输出光较不纯或具有较低的质量,因此本发明提供了一种可降低上述问题发生的发光装置。
发明内容
在一些实施例中,本发明提供了一种发光装置,所述发光装置包括基板、多个第一光转换单元和光源。所述光源发射穿过所述多个第一光转换单元和所述基板的光线以产生第一光谱。所述第一光谱包括波长范围在520纳米到590纳米之间的主波峰以及波长范围在430纳米到470纳米之间的第一子波峰。所述基板在所述主波峰的对应波长的第一透光率大于所述基板在所述第一子波峰的对应波长的第二透光率。
在一些实施例中,本发明提供了一种发光装置,所述发光装置包括基板、多个第二光转换单元和光源。所述光源发射穿过所述多个第二光转换单元和所述基板的光线以产生第二光谱。所述第二光谱包括波长范围在591纳米到780纳米之间的主波峰以及波长范围在430纳米到470纳米之间的子波峰。所述基板在所述主波峰的对应波长的第四透光率大于所述基板在所述子波峰的对应波长的第五透光率。
在一些实施例中,本发明提供了一种发光装置,所述发光装置包括基板、多个第一光转换单元和光源。所述光源发射穿过所述多个第一光转换单元和所述基板的光线以产生第一光谱。所述第一光谱包括波长范围在520纳米到590纳米之间的主波峰以及波长范围在470纳米到510纳米之间的第二子波峰。所述基板在所述主波峰的对应波长的第一透光率大于所述基板在所述第二子波峰的对应波长的第三透光率。
在搭配图式阅读下文实施例的详述之后,本发明的目的对于本发明相关领域的人员应为显而易见的。
附图说明
图1为本发明第一实施例的发光装置的剖视示意图。
图2为第一实施例的第二基板的透光率与从第一发光单元发射的第一光线的第一光谱的示意图。
图3为第一实施例的第二基板的透光率与从第二发光单元发射的第二光线的第二光谱的示意图。
图4为第一实施例的一变化实施例的第二基板的透光率与从第一发光单元发射的第一光线的第一光谱的示意图。
图5为CIE 1931的色度坐标图。
图6为本发明第二实施例的发光装置的剖视示意图。
图7为测量第二基板的透光率的示意图。
图8为本发明第三实施例的发光装置的剖视示意图。
图9为本发明第四实施例的发光装置的剖视示意图。
图10为本发明第五实施例的发光装置的剖视示意图。
图11为本发明第六实施例的发光装置的剖视示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的