[发明专利]终端结构的制造方法、终端结构及半导体器件在审
| 申请号： | 201911186063.X | 申请日： | 2019-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN110854180A | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 左义忠 | 申请（专利权）人： | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 张磊 |
| 地址： | 132013 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 终端 结构 制造 方法 半导体器件 | ||
1.一种终端结构的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
形成注有杂质的VLD区；
按照预设间距，在所述注有杂质的VLD区表面形成多个P+环；
通过氧化层对所述P+环的表面进行绝缘；
在所述氧化层表面淀积金属层或多晶层，并通过刻蚀工艺在所述氧化层上形成多个场板环，形成终端结构。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成注有杂质的VLD区的步骤，包括：
在单晶材料表面上形成VLD区；
在所述VLD区表面通过刻蚀工艺形成杂质注入窗口；
向所述杂质注入窗口注入杂质。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述按照预设间距，在所述注有杂质的VLD区表面形成多个P+环的步骤，包括：
在所述注有杂质的VLD区表面通过退火工艺或扩散工艺形成多个所述P+环。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述P+环包括浅结掺杂环。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过氧化层对所述P+环的表面进行绝缘的步骤，包括：
通过热氧化或气相淀积工艺形成所述氧化层，以使所述氧化层对P+环进行绝缘。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过刻蚀工艺在所述氧化层上形成多个场板环的步骤，包括：
通过刻蚀工艺在所述氧化层表面对应所述P+环的位置形成多个浮空场板环。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过刻蚀工艺在所述氧化层上形成多个场板环的步骤，还包括：
通过刻蚀工艺在所述氧化层上形成与所述P+环表面接触的多个偏置场板环。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，单个所述P+环的宽度与多个所述P+环之间的间距之间呈线性关系。
9.一种终端结构，所述终端结构是采用如权利要求1至8任一项所述的方法制造得到的。
10.一种半导体器件，包括权利要求9所述的终端结构。
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