[发明专利]一种多晶黑硅提升效率的表面处理方法在审
| 申请号： | 201911186446.7 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN110923818A | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 张一源;侯成成;管自生 | 申请（专利权）人： | 南京纳鑫新材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;C30B29/06;H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京挺立专利事务所(普通合伙) 11265 | 代理人： | 石磊 |
| 地址： | 211100 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 提升 效率 表面 处理 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种多晶黑硅提升效率的表面处理方法，其特征在于,具体步骤如下：将表面为蜂巢结构的多晶黑硅片进入产线传统链式制绒机台后，在传统硝酸+氢氟酸槽体中加入一定比例的表面活性剂，其他工艺顺序及槽体配比与产线基本一致。
2.如权利要求1所述的一种多晶黑硅提升效率的表面处理方法，其特征在于：在链式制绒机的制绒槽中，适量降低原先硝酸+氢氟酸浓度，加入0.5％-5％的表面活性剂，该表面活性剂为含羧基和苯环的聚甲基硅氧烷衍生物。
3.如权利要求1所述的一种多晶黑硅提升效率的表面处理方法，其特征在于：经该方法处理后，多晶黑硅表面蜂巢结构孔径由原先350nm-500nm增大至800nm-1100nm，孔深度由300nm-400nm提高到500nm-700nm。多晶黑硅片的反射率在原先基础上降低2％-5％，电池光电转换效率提升0.1％-0.35％，且电池CTM提高0.5％左右。
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