[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、显示面板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：

栅电极，位于衬底基板上；

绝缘层，位于所述衬底基板上且覆盖所述栅电极；

有源层，位于所述绝缘层上，对应所述栅电极，所述有源层的材料包括氧化铟镓锌；源电极和漏电极，同层间隔设置于所述绝缘层上，以及分别设置于所述绝缘层的两侧；

所述源电极和漏电极均包括上下叠设的第一金属层和第二金属层，所述第二金属层包含晶化诱导材料，所述晶化诱导材料用于诱发有源层晶化，所述晶化诱导材料包括钽以及钼钽合金中的一者；

晶化诱导金属层，位于所述有源层上，所述晶化诱导金属层位于所述源电极和漏电极之间，并与所述源电极和漏电极间隔设置；

所述晶化诱导金属层的材料配置与所述第一金属层相同、或所述晶化诱导金属层的材料配置与所述第二金属层相同、或所述晶化诱导金属层的材料配置为上下叠设的所述第一金属层和所述第二金属层。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述晶化诱导金属层的材料配置与所述源电极和所述漏电极的材料配置相同。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述晶化诱导金属层的厚度与所述源电极或所述漏电极的厚度相同。

4.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一金属层的材料包括铜。

5.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括如上述权利要求1～4任一项所述的薄膜晶体管。

6.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底基板上形成栅电极；

在所述衬底基板上形成覆盖所述栅电极的绝缘层；

在所述绝缘层上形成对应所述栅电极的有源层，所述有源层的材料包括氧化铟镓锌；

在所述绝缘层上形成源电极、漏电极和晶化诱导金属层，所述源电极和漏电极同层间隔设置于所述绝缘层上以及分别设置于所述绝缘层的两侧，所述源电极和漏电极均包括上下叠设的第一金属层和第二金属层，所述第二金属层包含晶化诱导材料，所述晶化诱导材料用于诱发有源层晶化，所述晶化诱导材料包括钽以及钼钽合金中的一者；所述晶化诱导金属层位于所述源电极和漏电极之间，并与所述源电极和漏电极间隔设置；所述晶化诱导金属层的材料配置与所述第一金属层相同、或所述晶化诱导金属层的材料配置与所述第二金属层相同、或所述晶化诱导金属层的材料配置为上下叠设的所述第一金属层和所述第二金属层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述绝缘层上形成源电极、漏电极和晶化诱导金属层这一步骤，包括：

在所述绝缘层上依次形成第二金属层和第一金属层，所述第二金属层包含晶化诱导材料，所述晶化诱导材料用于诱发有源层晶化；

对所述第一金属层和第二金属层进行刻蚀，以形成源电极、漏电极和晶化诱导金属层。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述绝缘层上形成源电极、漏电极和晶化诱导金属层这一步骤，包括：

在所述绝缘层上涂布第二金属层并刻蚀形成晶化诱导金属层；

在所述绝缘层上形成覆盖所述有源层的第一金属层；

对所述第一金属层进行刻蚀，以形成源电极和漏电极。