[发明专利]一种含埋层结构的碳化硅PiN二极管有效
| 申请号： | 201911187102.8 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN110854208B | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 张有润;王帅;罗佳敏;钟炜;罗茂久 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/16;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 含埋层 结构 碳化硅 pin 二极管 | ||
1.一种含埋层结构的碳化硅PiN二极管，包括从下至上依次设置的阴极、N型碳化硅衬底、N型碳化硅外延层、P型区和金属阳极；
其特征在于，所述N型碳化硅外延层内还设置有N型埋层和/或P型埋层，所述N型埋层位于所述N型碳化硅衬底上方且不与所述N型碳化硅衬底接触，用于增强所述N型碳化硅衬底与所述N型碳化硅外延层边界处的电场；所述P型埋层位于所述P型区下方且不与所述P型区接触，用于增强所述P型区与所述N型碳化硅外延层边界处的电场；
所述N型埋层下表面与所述N型碳化硅衬底上表面的距离不超过2μm，所述P型埋层上表面与所述P型区下表面的距离不超过2μm。
2.根据权利要求1所述的含埋层结构的碳化硅PiN二极管，其特征在于，所述P型埋层上表面与所述P型区下表面的距离为1μm，所述P型埋层的掺杂浓度为1018cm-3；所述N型埋层下表面与所述N型碳化硅衬底上表面的距离为1μm，所述N型埋层的掺杂浓度为1018cm-3。
3.根据权利要求2所述的含埋层结构的碳化硅PiN二极管，其特征在于，所述P型区的掺杂浓度为1019cm-3，厚度为1μm；所述N型碳化硅衬底的掺杂浓度为1019cm-3；所述N型碳化硅外延层的厚度为30μm，掺杂浓度为3×1015cm-3。
4.根据权利要求1至3任一项所述的含埋层结构的碳化硅PiN二极管，其特征在于，所述P型埋层和N型埋层通过离子注入的方式形成，所述P型区通过外延的方式形成。
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