[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201911189534.2 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN112864007B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 卢康 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供衬底，所述衬底表面形成有氧化层；
将所述衬底加热至处理温度，对所述衬底进行氮化处理，其中，所述氮化处理包括：
在惰性气体氛围和第一压力下，对所述衬底进行维持处理，维持时间为T1a，然后在所述惰性气体氛围中通入氮化反应气体，在第二压力下，对所述衬底进行反应处理，反应时间为T2a；所述第一压力大于所述第二压力，且所述第一压力与所述第二压力的比值≥10；所述氮化处理中，所述惰性气体的流量大于所述氮化反应气体的流量；
重复所述氮化处理，直至达到预定的维持时间和预定的反应时间；
重复所述氮化处理时，各所述氮化处理的所述反应时间T2a逐步增加，直至达到所述预定的反应时间。
2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底表面形成有氧化层，包括：将所述衬底进行热氧化处理，得到所述氧化层。
3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述维持时间T1a大于或等于所述反应时间T2a。
4.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，重复所述氮化处理时，各所述氮化处理的所述维持时间T1a和所述反应时间T2a相同或不同。
5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，重复所述氮化处理时，各所述氮化处理中所述氮化反应气体的流量相同。
6.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述氮化处理的重复次数为2次~6次。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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