[发明专利]一种提高键合晶圆质量的方法在审
申请号: | 201911189676.9 | 申请日: | 2019-11-28 |
公开(公告)号: | CN110880453A | 公开(公告)日: | 2020-03-13 |
发明(设计)人: | 程禹;李彦庆;陈艳明;张耀庚;方小磊;赵东旭 | 申请(专利权)人: | 长春长光圆辰微电子技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/18 | 分类号: | H01L21/18;H01L21/66 |
代理公司: | 长春市吉利专利事务所 22206 | 代理人: | 李晓莉 |
地址: | 130033 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 键合晶圆 质量 方法 | ||
1.一种提高键合晶圆质量的方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤一、在键合机台内的预对准单元加装非接触式厚度测量模块,且非接触式厚度测量模块与键合机台的控制器通讯连接;
步骤二、采用已知厚度的晶圆对键合机台的底部吸盘位置进行初始化;
步骤三、在晶圆到达预对准单元进行预对准时,所述非接触式厚度测量模块通过双探头对射式测量方法对晶圆厚度进行测量,得到晶圆厚度信息,并将所述晶圆厚度信息反馈给键合机台的控制器;
步骤四、键合机台的控制器根据其接收到的晶圆厚度信息计算底部吸盘的高度;
步骤五、键合机台的控制器根据计算所得底部吸盘的高度重新调整电机位置,完成键合。
2.根据权利要求1所述的一种提高键合晶圆质量的方法,其特征在于:所述非接触式厚度测量模块为彩色激光同轴位移传感器。
3.根据权利要求1所述的一种提高键合晶圆质量的方法,其特征在于:所述步骤四中晶圆厚度信息采用多点位测量取平均值的方式获得。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造