[发明专利]一种高功率单电源内匹配功率管

权利要求书

1.一种高功率单电源内匹配功率管，包括至少两个GaN功率管芯，每个GaN功率管芯的栅极和漏极分别通过一级LC谐振网络和微带线阻抗实现输入阻抗和输出阻抗的匹配，其特征在于，GaN功率管芯的栅极接有抑制低频增益电路，GaN功率管芯的源极接有单电源供电偏置电路，接在GaN功率管芯漏极的漏偏置电路还包括参与输出阻抗匹配的滤波电路。

2.根据权利要求1所述一种高功率单电源内匹配功率管，其特征在于，所述抑制低频增益电路为电阻和电容串联组成的电路，电阻的一端接在GaN功率管芯栅极，电阻另一端接电容的一极，电容的另一极接地，电阻的阻值同时满足频带内增益需求和降低GaN功率管芯低频段增益的要求。

3.根据权利要求1所述一种高功率单电源内匹配功率管，其特征在于，与GaN管芯漏极连接的LC谐振网络中的电感和电容制备在不同介电常数的陶瓷板上，制备电容的陶瓷板的介电常数高于制备电感的陶瓷板的介电常数。

4.根据权利要求1所述一种高功率单电源内匹配功率管，其特征在于，所述漏偏置电路通过内匹配功率管输出微带线上四分之一波长的高阻微带线加电，该漏偏置电路包括与四分之一波长高阻微带线端口连接的第一滤波电容、第二滤波电容及参与输出阻抗匹配的滤波电路，参与输出阻抗匹配的滤波电路为可调电阻和第三滤波电容组成的串联电路，第一滤波电容的一极、第二滤波电容的一极、可调电阻的一端均与四分之一波长高阻微带线端口连接，第三滤波电容的一极接可调电阻的另一端，第一滤波电容的另一极、第二滤波电容的另一极及第三滤波电容的另一极共同接地。

5.根据权利要求1所述一种高功率单电源内匹配功率管，其特征在于，所述单电源供电偏置电路为电阻和电容并联组成的电路，电阻与GaN功率管芯的源极串接后接地，电容并接在电阻两端之间，所述电阻的阻值可调，调节电阻阻值以使GaN功率管芯的栅压处于正常工作范围。

6.根据权利要求5所述一种高功率单电源内匹配功率管，其特征在于，所述电容为垫于GaN功率管芯之下的MOM电容。

7.根据权利要求5所述一种高功率单电源内匹配功率管，其特征在于，所述电阻为可调节GaAs电阻。