[发明专利]存储装置和该存储装置的操作方法

说明书

提供一种存储装置和该存储装置的操作方法。本公开涉及一种操作存储器装置的方法，该存储器装置包括存储器单元阵列、电压发生器和控制逻辑。电压发生器被配置成升高电源电压。控制逻辑被配置成基于经升高的电源电压和参考电压来存储时间。参考电压是用于对存储器单元阵列执行操作的电压电平。

技术领域

各种实施方式总体上涉及一种电子装置，更具体地，涉及一种存储装置和该存储装置的操作方法。

背景技术

存储装置可以响应于诸如计算机、智能电话和智能平板的主机装置的控制来存储数据。存储装置的示例可以包括诸如硬盘驱动器(HDD)的用于在磁盘中存储数据的装置，以及诸如固态驱动器(SSD)或存储器卡的用于在半导体存储器(特别是非易失性存储器)中存储数据的装置。

存储装置可以包括存储数据的存储器装置和在存储器装置中存储数据的存储器控制器。存储器装置可分为易失性存储器和非易失性存储器。非易失性存储器可以包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存存储器、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)和铁电RAM(FRAM)。

发明内容

根据一个实施方式，一种存储器装置可以包括：存储器单元阵列，其包括至少一个存储块；电压发生器，其被配置成接收电源电压并且升高电源电压直到经升高的电源电压等于或大于参考电压；以及控制逻辑，其被配置成在当电压发生器开始升高电源电压时的第一时间启动(initiate)，并且存储与当经升高的电源电压等于或大于参考电压时的时间相对应的第二时间。参考电压可以是用于对存储器单元阵列执行操作的电压电平。

根据一个实施方式，一种操作包括存储器单元阵列的存储器装置的方法可以包括以下步骤：基于电压生成信号升高电源电压；当电源电压升高时，通过将经升高的电压与参考电压进行比较来生成比较信号；以及存储比较信号的状态改变时间。参考电压可以是在对存储器单元阵列执行操作时所使用的电压电平。

根据一个实施方式，可以提供一种存储装置。该存储装置可以包括：存储器装置和被配置成控制存储器的存储器控制器。存储器控制器可以包括状态信息确定单元，其被配置成接收基于存储器装置的电压上升时间而生成的状态信息，并且被配置成基于状态信息来提供用于生成存储器装置的操作电压的电压设置信息。存储器控制器可以包括装置电压控制单元，其被配置成向存储器装置提供设置参数命令，以基于电压设置信息生成存储器装置的操作电压。电压上升时间可以是直到操作电压达到目标参考电压所用的时间。

附图说明

图1是示出存储装置的框图；

图2是示出图1的存储器装置的结构的框图；

图3是示出图2所示的存储器单元阵列的一个实施方式的图；

图4是示出图3所示的存储块BLK1至BLKz中的一个(BLKa)的电路图；

图5是示出图3所示的存储块BLK1至BLKz中的一个(BLKb)的一个实施方式的电路图；

图6是示出图2的电压发生器和监测单元的结构的图；

图7是示出计算电压上升时间的方法的图；

图8是示出基于存储器装置的状态确定时钟的方法的图；

图9是示出提供装置电压控制单元改变时钟的周期的方法的图；

图10是示出根据本公开的一个实施方式的存储器装置的操作的图；

图11是示出根据本公开的一个实施方式的存储器装置的操作的图；

图12是示出根据本公开的一个实施方式的存储器控制器的操作的图；

图13是示出图1的存储器控制器的一个实施方式的图；