[发明专利]具有鳍型有源区的半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一鳍型图案，其位于衬底的第一区中，所述第一鳍型图案包括在第一方向上延伸并且具有由所述衬底中的第一沟槽限定的各个侧壁的多个间隔开的鳍；

第一栅极结构，其与所述第一鳍型图案交叉，并且在第二方向上延伸；

第二鳍型图案，其位于所述衬底的第二区中，所述第二鳍型图案包括在第三方向上延伸并且具有由所述衬底中的第二沟槽限定的侧壁的鳍；

第二栅极结构，其与所述第二鳍型图案交叉，并且在第四方向上延伸；以及

场绝缘膜，其填充所述第一沟槽的至少一部分和所述第二沟槽的至少一部分，所述场绝缘膜具有第一上表面和第二上表面，所述第一上表面与所述第一鳍型图案的至少一个侧壁接触并且与所述第一沟槽的底部间隔开第一高度，所述第二上表面与所述第二鳍型图案的侧壁接触并且与所述第二沟槽的底部间隔开与所述第一高度不同的第二高度。

2.根据权利要求1所述的装置，还包括：

第一外延图案，其在所述多个间隔开的鳍的对应的鳍上延伸，并且至少部分地合并在一起成为单一外延图案；以及

第二外延图案，其位于所述第二鳍型图案上。

3.根据权利要求2所述的装置，其中，第一体积与所述第二外延图案的第二体积不同，所述第一体积等于所述单一外延图案的总体积除以所述第一外延图案的数量。

4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述第一高度大于所述第二高度，并且所述第一体积小于所述第二体积。

5.一种半导体装置，包括：

第一鳍型图案，其在衬底的第一区中包括各自在第一方向上延伸并且具有由第一沟槽限定的侧壁的多个鳍；

第一栅极结构，其与第一鳍型图案交叉并在第二方向上延伸；

第二鳍型图案，其在所述衬底的第二区中包括在第三方向上延伸并且具有由第二沟槽限定的侧壁的单个鳍；

第二栅极结构，其与所述第二鳍型图案交叉并在第四方向上延伸；以及

场绝缘膜，其在所述衬底上填充第一沟槽的至少一部分和第二沟槽的至少一部分，

其中，所述场绝缘膜包括第一上表面和第二上表面，所述第一上表面与所述第一鳍型图案的侧壁接触，所述第二上表面与所述第二鳍型图案的侧壁接触，并且

从所述第一沟槽的底部至所述场绝缘膜的第一上表面的第一高度与从所述第二沟槽的底部至所述场绝缘膜的第二上表面的第二高度不同。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，还包括：

第一外延图案，其在所述第一鳍型图案上在所述第一方向上彼此间隔开，所述第一外延图案具有其中合并了多个外延图案的形状；以及

第二外延图案，其在所述第二鳍型图案上在所述第三方向上彼此间隔开，

其中，通过将所述第一外延图案的总体积除以所述多个外延图案的数量而获得的第一体积与作为所述第二外延图案的总体积的第二体积不同。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述第一高度大于所述第二高度，并且所述第一体积小于所述第二体积。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述第一外延图案上的第一鳍型图案的第三高度大于所述第二外延图案上的第二鳍型图案的第四高度。

9.根据权利要求5所述的半导体装置，还包括：

第一外延图案，其在所述第一鳍型图案上在所述第一方向上彼此间隔开，所述第一外延图案具有其中合并了多个外延图案的形状；以及

第二外延图案，其在所述第二鳍型图案上在所述第三方向上彼此间隔开，

其中，所述第一外延图案的所述多个外延图案中的设置在最外侧的外延图案具有在所述第二方向上的第一宽度，并且所述第二外延图案具有在所述第四方向上的第二宽度，并且

所述第一宽度和所述第二宽度彼此不同。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述第一高度大于所述第二高度，并且所述第一宽度小于所述第二宽度。