[发明专利]一种三维花状金镍铂修饰的纳米复合电极有效
| 申请号： | 201911192286.7 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN112864404B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 孙晶;曹猛 | 申请（专利权）人： | 大连大学 |
| 主分类号： | H01M4/88 | 分类号： | H01M4/88;H01M4/86;H01M4/92;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 大连智高专利事务所(特殊普通合伙) 21235 | 代理人： | 李楠 |
| 地址： | 116622 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 三维 花状金镍铂 修饰 纳米 复合 电极 | ||
【权利要求书】：
1.一种三维花状金镍铂修饰的纳米复合电极，其特征在于，是按照如下方法制备的：
(1)利用ITO导电玻璃为基底，通过对其进行预处理、自组装操作后获得改性后的ITO电极；
(2)采用电化学方法在改性的ITO电极上进行花状纳米金沉积：采用三电极体系，以0.5M的H2SO4和1mg/mL KAuCl4的混合液为电解质溶液，改性后的ITO电极为工作电极，对电极为铂电极，参比电极为Ag/AgCl，设置电压-0.2V；
(3)采用电化学方法制备Au-Ni-Pt/ITO复合电极：采用三电极体系，以硫酸镍溶液为电解质溶液，以纳米结构的Au/ITO玻璃作为工作电极，Ag/AgCl电极和铂丝电极为参比电极，采用计时电流法，设置电化学工作站电沉积参数：电压-1V，时间500s；立即将电极取出，用去离子水多次冲洗，转移至新制的四氯亚铂酸钾溶液中，静置100s，制成纳米复合电极。
2.根据权利要求1所述的一种三维花状金镍铂修饰的纳米复合电极，其特征在于,步骤(1)所述改性后的ITO电极为表面带有(PDDA/PSS)6静电自组装层的ITO玻璃。
3.根据权利要求1所述的一种三维花状金镍铂修饰的纳米复合电极，其特征在于，步骤(3)中硫酸镍溶液为0.02M的NiSO4和0.1M的Na2SO4二者混合溶液。
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