[发明专利]应变硅成长于不同版图特征下的改善方法有效
| 申请号： | 201911192674.5 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN111218715B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 杨明仑;萧至廷;薛培堃 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 应变 成长 不同 版图 特征 改善 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种应变硅成长于不同版图特征下的改善方法，其特征在于：在硅衬底的钻石型孔洞刻蚀后, 在该孔洞的内表面形成一层单晶硅薄膜；
在形成单晶硅薄膜的孔洞内生长锗硅，并填充满该孔洞。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述钻石型孔洞硅位于衬底中的STI侧端。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述单晶硅薄膜通过选择性外延生长形成，并用盐酸回蚀方法控制单晶硅能贴合着孔洞形貌成长。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于：选择性外延生长单晶硅薄膜时，前驱物为SiH2Cl2，温度为700～800℃，压力 10Torr，厚度为10～20Å。
5.如权利要求3所述的方法，其特征在于：所述盐酸回蚀方法采用的压力为20～30mTorr，温度为700～800℃。
6.如权利要求4所述的方法，其特征在于：锗硅生长的速率为：Si＞SiN ≫氧化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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