[发明专利]用于连接微电子装置的中介层

权利要求书

1.一种中介层，包括：

安装位点，其在所述中介层的第一表面上，用于多个半导体装置结构；

触点结构，其在所述中介层的第二表面上，用于形成与其它结构的电连接；

芯，其包括非有机材料，所述非有机材料包括半导体材料；

多个竖直触点，其延伸穿过所述芯；

第一组多个重布层，其在所述芯的第一侧上形成；

第二组多个重布层，其在所述芯的与所述第一侧相对的第二侧上形成；以及

一或多个电路组件，其至少部分地在所述芯的所述半导体材料中形成。

2.根据权利要求1所述的中介层，进一步包括在所述中介层的第一表面上用于将多个半导体装置结构到所述中介层上的多个安装位点。

3.根据权利要求2所述的中介层，其中所述多个安装位点各自包含形成存储器装置接口的一或多个触点阵列。

4.根据权利要求3所述的中介层，其中所述存储器装置接口经配置以与包括多个竖直堆叠的存储器裸片的存储器装置耦合。

5.根据权利要求4所述的中介层，其中所述存储器装置接口限定高带宽存储器接口。

6.根据权利要求3所述的中介层，其中所述多个安装位点包含形成处理器接口的一或多个触点阵列。

7.根据权利要求6所述的中介层，其中所述中介层限定形成第一和第二存储器装置接口的安装位点，每个安装位点包含一或多个触点阵列。

8.根据权利要求7所述的中介层，其中所述第一和第二存储器装置接口的所述触点通过所述第一组和第二组多个重布层连接到所述处理器接口的触点。

9.根据权利要求8所述的中介层，其中所述第一存储器装置接口的所述触点通过所述第一组多个重布层连接到所述处理器接口的触点；并且其中所述第二存储器装置接口的所述触点通过所述第二组多个重布层连接到所述处理器接口的触点。

10.根据权利要求8所述的中介层，其中所述第一和第二存储器装置接口中的至少一个的触点通过延伸穿过所述芯的所述竖直触点连接到所述第二组多个重布层。

11.根据权利要求1所述的中介层，其中所述无源电路组件完全地在所述芯的尺寸内形成。

12.根据权利要求11所述的中介层，其中所述无源组件中的一或多个耦合到至少一个额外无源组件。

13.根据权利要求1所述的中介层，其中所述一或多个电路组件包括一或多个有源电路组件。

14.一种形成微电子装置组合件的中介层的方法，包括：

形成延伸穿过半导体材料的竖直互连件，所述半导体材料形成中介层芯；

至少部分地在所述中介层芯的所述半导体材料内形成电路组件；

在所述中介层芯上形成导电迹线；

在所述芯的第一侧上形成第一组多个重布层；

在所述芯的与所述第一侧相对的第二侧上形成第二组多个重布层。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述第一组多个重布层中的最外部重布层形成为包含限定多个微电子装置安装位点的多个触点阵列，每个安装位点包含至少一个触点阵列。

16.根据权利要求14所述的方法，其中形成所述电路组件包含形成无源组件，包含完全地在所述中介层芯的所述半导体材料内形成一或多个无源组件。