[发明专利]负极材料及包含其的电化学装置和电子装置

权利要求书

1.一种负极材料，其包括硅基颗粒和石墨颗粒，其中所述石墨颗粒的平均球形度为A，所述硅基颗粒的平均球形度为B，A和B满足：0＜B-A≤0.3；

其中所述硅基颗粒的平均球形度为0.8-1.0；所述石墨颗粒的平均球形度为0.5-0.8；所述硅基颗粒的D_V50的范围为2.0μm-9μm；所述石墨颗粒的粒径Dv50为10-90μm；所述Dv50为材料累计体积百分数达到50％时所对应的粒径；所述球形度是指颗粒最短直径与最长直径的比值。

2.根据权利要求1所述的负极材料，其中所述硅基颗粒在X射线衍射图案中2θ归属于28.0°-29.0°范围内最高强度数值为I₂，归属于20.5°-21.5°范围内最高强度数值为I₁，其中0I₂/I₁≤1。

3.根据权利要求1所述的负极材料，其中所述硅基颗粒的粒径分布满足：0.3≤Dn10/Dv50≤0.6，所述Dn10为材料累计数量百分数达到10％时所对应的粒径。

4.根据权利要求1所述的负极材料，其中所述硅基颗粒包括硅复合物基体和氧化物MeO_y层，所述氧化物MeO_y层包覆所述硅复合物基体的至少一部分，其中Me包括Al、Si、Ti、Mn、V、Cr、Co或Zr中的至少一种，其中y为0.5-3；且其中所述氧化物MeO_y层包含碳材料。

5.根据权利要求1所述的负极材料，其中所述硅基颗粒包括硅复合物基体和聚合物层，所述聚合物层包覆所述硅复合物基体的至少一部分，并且所述聚合物层包含碳材料。

6.根据权利要求2所述的负极材料，其中所述硅基颗粒的粒径分布满足：0.3≤Dn10/Dv50≤0.6，所述Dn10为材料累计数量百分数达到10％时所对应的粒径。

7.根据权利要求2所述的负极材料，其中所述硅基颗粒包括硅复合物基体和氧化物MeO_y层，所述氧化物MeO_y层包覆所述硅复合物基体的至少一部分，其中Me包括Al、Si、Ti、Mn、V、Cr、Co或Zr中的至少一种，其中y为0.5-3；且其中所述氧化物MeO_y层包含碳材料。

8.根据权利要求2所述的负极材料，其中所述硅基颗粒包括硅复合物基体和聚合物层，所述聚合物层包覆所述硅复合物基体的至少一部分，并且所述聚合物层包含碳材料。

9.根据权利要求3所述的负极材料，其中所述硅基颗粒包括硅复合物基体和氧化物MeO_y层，所述氧化物MeO_y层包覆所述硅复合物基体的至少一部分，其中Me包括Al、Si、Ti、Mn、V、Cr、Co或Zr中的至少一种，其中y为0.5-3；且其中所述氧化物MeO_y层包含碳材料。

10.根据权利要求3所述的负极材料，其中所述硅基颗粒包括硅复合物基体和聚合物层，所述聚合物层包覆所述硅复合物基体的至少一部分，并且所述聚合物层包含碳材料。

11.根据权利要求4所述的负极材料，其中所述硅基颗粒进一步包括聚合物层，所述聚合物层包覆所述氧化物MeO_y层的至少一部分，并且所述聚合物层包含碳材料。

12.根据权利要求6所述的负极材料，其中所述硅基颗粒包括硅复合物基体和氧化物MeO_y层，所述氧化物MeO_y层包覆所述硅复合物基体的至少一部分，其中Me包括Al、Si、Ti、Mn、V、Cr、Co或Zr中的至少一种，其中y为0.5-3；且其中所述氧化物MeO_y层包含碳材料。