[发明专利]MNK抑制剂在审
申请号: | 201911196669.1 | 申请日: | 2019-11-29 |
公开(公告)号: | CN111253397A | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | 杨和平;高大新 | 申请(专利权)人: | 上海迪诺医药科技有限公司 |
主分类号: | C07D471/10 | 分类号: | C07D471/10;C07D519/00;C07D471/14;C07D491/20;C07D487/04;C07D487/10;C07D403/12;A61K31/53;A61K31/519;A61K31/527;A61P35/00;A61P35/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201203 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | mnk 抑制剂 | ||
1.一种如式I或I’所示化合物、其异构体、前药、稳定的同位素衍生物或药学上可接受的盐;
其中,W1和W2分别独立地为=O、=S、=NH、=N-OH或=N-O(C1-6烷基);
A1为N或CR5;
A2为N或CR5a;
A3为N或CR5b;
R为-NH-Cy或Cy;
R1为H、-OH、-NH2、RA、-NH-RA、-NH-C(O)-RA或-O-RA;
R2为H、CN、氘代C1-4烷基或RB;
R3为H、C1-6烷基、C2-6烯基或C2-6炔基;所述R3为未取代,或者选择性被1~3个R9取代在任意位置;
R4为H、C1-6烷基、C2-6烯基、C2-6炔基、C6-10芳基、5-6元杂芳基、C3-8环烷基、3-8元杂环烷基、C6-10芳基C1-6烷基、5-6元杂芳基C1-6烷基、C3-8环烷基C1-6烷基或3-8元杂环烷基C1-6烷基;所述R4为未取代,或者选择性被1~3个R9取代在任意位置;
所述R1、R2、R3和R4分别为独立取代基,或者
1)R1和R3相互连接形成3-10元杂环烷基;所述3-10元杂环烷基为未取代,或者选择性被1~3个R9取代在任意位置;
2)R2和R3相互连接形成3-10元杂环烷基;所述3-10元杂环烷基为未取代,或者选择性被1~3个R9取代在任意位置;
3)R3和R4与其共同连接的碳原子一起形成C3-10环烷基或3-10元杂环烷基;所述C3-10环烷基或3-10元杂环烷基为未取代,或者选择性被1~3个R9取代在任意位置;或
4)R2和R3相互连接与α键共同形成双键;
R5、R5a和R5b分别独立地为氢、卤素、氰基、C1-4烷基、卤代C1-4烷基、卤代C1-4烷氧基或C1-4烷氨基;
Cy为5-10元杂芳环;所述Cy为未取代,或者选择性被1~3个选自卤素、-CN、-NH2、-NHOH、-OH、-RC、-ORC、-NHRC、-NH-ORC、-NHC(O)RC、-C(O)RC和-C(O)N(RC)2的取代基取代在任意位置;
每个RA独立地为C1-8烷基、C2-8烯基或C2-8炔基;所述RA为未取代,或者选择性被1~3个选自卤素、-OH、-NH2、氧代基、C1-3烷氧基和C1-3烷氨基的取代基取代在任意位置;
每个RB独立地为C1-6烷基、C2-6烯基、C2-6炔基、苯基、5-6元杂芳基、C3-8环烷基、3-8元杂环烷基、-(CH2)n-苯基、-(CH2)n-(5-6元杂芳基)、-(CH2)n-C3-8环烷基或-(CH2)n-(3-8元杂环烷基);所述RB为未取代,或者选择性被1~3个R9取代在任意位置;
每个RC独立地为C1-6烷基、C2-6烯基、C2-6炔基、苯基、5-6元杂芳基、C3-8环烷基、3-8元杂环烷基、-(CH2)n-OC1-6烷基、-(CH2)n-苯基、-(CH2)n-(5-6元杂芳基)、-(CH2)n-C3-8环烷基、-(CH2)n-(3-8元杂环烷基)或-(3-8元杂环烷基)-C1-6烷基;所述RC为未取代,或者选择性被1~3个R10取代在任意位置;
每个R9和每个R10分别独立地为H、-CN、-NO2、-SH、-NH2、-OH、-C(O)OH、-NHC(O)Ra、-NHS(O)2Ra、-C(O)Ra、卤素、氧代基、酯基、酰胺基、C1-4烷基、C2-4烯基、C2-4炔基、C1-4烷氧基、C1-4烷氨基、卤代C1-4烷基、卤代C1-4烷氧基、-(CH2)n-NH2、-(CH2)n-OH、-(CH2)n-(C1-4烷氨基)或-(CH2)n-(C1-4烷氧基);
每个Ra独立地为C1-6烷基或C2-6烯基;
n为1、2、3或4。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海迪诺医药科技有限公司,未经上海迪诺医药科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911196669.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电子装置中的泄漏电流降低
- 下一篇:后处理装置、图像形成装置及图像形成系统