[发明专利]一种单粒子辐照效应仿真方法

权利要求书

1.一种MOS结构的器件模型，其特征在于，所述器件模型包括：1M器件模型和非1M器件模型；

所述1M器件模型只有一个MOS结构，该MOS结构远离栅极一侧的漏极边缘与一个半径为r圆心为O的圆相切，所述1M器件模型的MOS结构的位置为非1M器件模型的MOS结构位置提供基准；

使用SDE工具建立起1M器件模型中MOS器件的初始模型，步骤包括器件结构的编辑、接触定义、掺杂、网格生成以及文件保存；

所述非1M器件模型包括大于1个的MOS结构，其中一个MOS结构的位置与1M器件模型的MOS结构的位置对应一致，所述非1M器件模型的所有MOS结构远离栅极一侧的漏极边缘均与所述半径为r圆心为O的圆相切；

所述非1M器件模型中的任意一个MOS结构由相邻MOS结构绕圆心O旋转某一角度得到；非1M器件模型中任意相邻的两个MOS结构与圆心O连线的夹角相同；

所述非1M器件模型构建过程为：

在仿真工具中，采用旋转指令将1M器件模型中MOS结构的结构参数、接触参数、掺杂参数、网格参数应用到非1M器件模型中所有的MOS结构；从而得到非1M器件模型：

所述旋转指令为：旋转个数为该非1M器件模型中总的MOS结构数-1。

2.根据权利要求1所述的一种MOS结构的器件模型，其特征在于，半径r为变量。

3.根据权利要求2所述的一种MOS结构的器件模型，其特征在于，所述1M器件模型构建过程为：

A1、使用仿真工具建立初始器件模型；所述初始器件模型包括一个MOS结构；

A2、将初始器件模型与所选工艺进行器件校准；

A3、将完成校准后的初始器件模型作为1M器件模型。

4.一种单粒子辐照效应仿真方法，其特征在于，包括：

S1、在仿真工具中，将权利要求1-3任意一项所述半径r设置为变量；

S2、根据权利要求1-3任意一项MOS结构的器件模型建立1M、2M、…、KM器件模型；

S3、确定各器件模型的仿真电路连接；

S4、选择粒子入射的位置在圆心O点，在相同的条件下分别对步骤S2建立的各器件模型进行单粒子辐照仿真；

S5、观测各节点的电流曲线，对电流曲线进行积分，记录收集到的电荷量；

S6、改变步骤S1中半径r的值，重复S2至S5，直至完成所有设定r值的仿真；

S7、对比不同距离下收集到的电荷量的差异，得到半径r对收集到的电荷量的关系。

5.根据权利要求4所述的一种单粒子辐照效应仿真方法，其特征在于，所述1M器件模型、非1M器件模型为NMOS器件模型时，P阱接触区接地电平，衬底接触区接地，所有的NMOS结构漏极接高电平，源极、栅极接地；

所述1M器件模型、非1M器件模型为PMOS器件模型时，N阱接触区接高电平，衬底接触区接地，所有的PMOS结构源极、栅极接高电平，漏极接地。