[发明专利]高电压集成电路及其半导体结构

权利要求书

1.一种高电压集成电路的半导体结构，其特征在于，包括：

一衬底，有依序相邻的高电压N型井区、N型井区及高电压P型井区；

P型掺杂隔离区域，位于该N型井区将该N型井区隔离出第一井区与第二井区，该第二井区与该高电压N型井区相邻；

高电压P型晶体管，设置在该高电压N型井区上，该高电压P型晶体管有栅极、漏极以及源极，该源极接收一操作高电压；

N型晶体管，有一栅极形成在该N型井区及该高电压P型井区的交界区域上； 一漏极形成在该N型井区的该第一井区上与该高电压P型晶体管的该漏极连接；以及一源极形成在该高电压P型井区上；

电压箝制元件，有两端分别仅并联连接于该高电压P型晶体管的该漏极与该源极，没有与该高电压P型晶体管的该栅极连接；以及

分压元件，连接在该高电压P型晶体管的该漏极到接地电压之间，提供一分压给该N型晶体管的该栅极。

2.如权利要求1所述的高电压集成电路的半导体结构，其特征在于，该电压箝制元件是齐纳二极管串，用以当该高电压P型晶体管关闭时，将该高电压P型晶体管的该源极的一高电压箝制到较低的一箝制电压而给该漏极。

3.如权利要求1所述的高电压集成电路的半导体结构，其特征在于，该分压元件所提供的该分压是在对应该N型晶体管的操作所允许的操作范围内，该N型晶体管是栅极操作在低电压的晶体管。

4.如权利要求1所述的高电压集成电路的半导体结构，其特征在于，更包括一高电压应用电路，其中该电压应用电路包含一高电压驱动电路，该高电压驱动电路有第一电压端与第二电压端，该第一电压端是该高电压P型晶体管的该操作高电压，该第一电压端的电压高于该第二电压端的电压，该第一电压端连接到该高电压P型晶体管的该源极，该第二电压端连接到该高电压P型晶体管的该栅极。

5.如权利要求4所述的高电压集成电路的半导体结构，其特征在于，取决于该高电压P型晶体管的导通或关闭，而产生不同电压值的该分压给该N型晶体管的该栅极。

6.如权利要求1所述的高电压集成电路的半导体结构，其特征在于，更包括一侦测电路，接收该N型晶体管的该源极的电压，以决定是处于第一电压状态或是第二电压状态，该第一电压状态不同于该第二电压状态。

7.如权利要求1所述的高电压集成电路的半导体结构，其特征在于，该衬底是硅晶片且该高电压N型井区、该N型井区及该高电压P型井区是在该硅晶片中，或是该衬底包含硅晶片及在该硅晶片上的外延层，其中该衬底是硅晶片且该高电压N型井区、该N型井区及该高电压P型井区是在该外延层中。

8.一种高电压集成电路，其特征在于，包括：

高电压应用电路，其中该电压应用电路包含一高电压驱动电路，该高电压驱动电路有第一电压端与第二电压端，该第一电压端是该高电压P型晶体管的操作高电压，该第一电压端的电压高于该第二电压端的电压；

高电压P型晶体管，有栅极、漏极以及源极，该源极连接到该高电压应用电路的该第一电压端，该栅极连接到该高电压应用电路的该第二电压端；

N型晶体管，有一栅极、一漏极以及一源极，其中该源极是输出端，该漏极连接到该高电压P型晶体管的该漏极；

电压箝制电路，有两端分别仅并联连接于该高电压P型晶体管的该漏极与该源极，没有与该高电压P型晶体管的该栅极连接； 以及

分压电路，连接在该高电压P型晶体管的该漏极到接地电压之间，提供一分压给该N型晶体管的该栅极。

9.如权利要求8所述的高电压集成电路，其特征在于，该电压箝制电路是齐纳二极管串，用以当该高电压P型晶体管关闭时，将该高电压P型晶体管的该源极的该操作高电压箝制到较低的一箝制电压而给该N型晶体管的该漏极。

10.如权利要求8所述的高电压集成电路，其特征在于，该分压电路所提供的该分压是在对应该N型晶体管的操作所允许的操作范围内，该N型晶体管是栅极操作在低电压的晶体管。