[发明专利]溅射靶及其制造方法

说明书

本发明要解决的技术问题是提供一种在溅射时能够抑制与基板微粒增加相关联的微细结瘤的产生量的溅射靶及其制造方法。本发明提供一种陶瓷系溅射靶，其溅射面的表面粗糙度Ra为0.5μm以下，并且用激光显微镜测量的Svk值为1.1μm以下。

技术领域

本发明涉及一种溅射靶及其制造方法。

背景技术

形成半导体设备的薄膜的方法之一是进行溅射。作为用于溅射的溅射靶(以下、有时简称为“靶”。)，已知有陶瓷制成的溅射靶。陶瓷制成的靶材，例如将含有金属氧化物等陶瓷成分的粉末或粒子进行成型、烧结得到烧结体，并通过切削、研磨等将烧结体机械加工成规定的大小，由此获得。

近年，微细化向纳米区域发展，在溅射中对基板微粒的管理越来越严格。因此，需要重新修改以往长年实施的方法，采取与减少溅射中的基板微粒相关的对策。

已知溅射靶材的加工精度会影响在基板表面上形成的薄膜(溅射膜)的品质。因此，在陶瓷制成的溅射靶材的加工的方面，正在研究用于提高薄膜的品质的对策。

专利文献1中公开了一种靶材，其是供于被溅射的溅射面的表面粗糙度Ra为0.5μm以上且为1.5μm以下，且在上述溅射面上形成的裂纹的最大深度为15μm以下的平板状的陶瓷。公开了，若Ra小于0.5μm，则在溅射中在靶材上产生的结瘤使得微粒不仅附着在靶材上还附着在溅射膜上，溅射膜的品质容易降低。另外公开了，若裂纹的最大深度超过15μm，则在溅射中容易产生结瘤，另外，还有可能影响靶材的机械强度。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2016/027540号

发明内容

发明要解决的技术问题

已知使用被称作平面铣床的加工机器对陶瓷烧结体进行加工，以形成溅射靶的溅射面。这里，平面磨削可能导致在溅射面上存在微裂纹。可确认，该微裂纹会影响使用初期的基板微粒量。

在专利文献1中，代替对陶瓷烧结体进行平面磨削，而采取切断陶瓷烧结体并将该切断面用作溅射面等措施，以减少微裂纹的产生。然而，在对陶瓷烧结体进行平面磨削的情况下，关于抑制微裂纹的研究仍然不充分。另外，很难说使得溅射面的表面粗糙度Ra为0.5μm以上，就一定能够减少基板微粒。

除此之外，还存在多种对表面粗糙度、残留粉尘量等进行评价，并基于溅射时的电弧产生量、结瘤产生量、基板微粒量进行评价的技术。然而，仅仅在这些评价之中，与使用初期产生的这类的微细结瘤的产生、基板微粒量的相关性不充分。

本发明鉴于上述问题而完成，其要解决的技术问题是提供一种在溅射时能够抑制与基板微粒增加相关联的微细结瘤的产生量的溅射靶及其制造方法。

解决技术问题的方法

本发明人经过深入研究，结果发现溅射靶的溅射面的表面粗糙度Ra及用激光显微镜测量的Svk值，与导致基板微粒增多的结瘤的产生有密切的关系。特别是用Svk值表示的在靶表面残留的凹陷部分(机械加工时的应力导致的小片脱离的部分)，会影响使用初期的微细结瘤产生。因此，控制上述Ra及Svk值很重要。因此，如以下限定本发明。

(1)一种陶瓷系溅射靶，溅射面的表面粗糙度Ra为0.5μm以下，并且用激光显微镜测量的Svk值为1.1μm以下。

(2)如(1)所述的陶瓷系溅射靶，其中，在所述溅射面上，用电子显微镜以×10,000倍视野观察断面组织时看到的微裂纹的个数为20个/mm以下。

(3)如(1)或(2)所述的陶瓷系溅射靶，其中，所述陶瓷系溅射靶是Sn的含有量以SnO₂换算计为1～10质量％的ITO。