[发明专利]半导体结构及其制备工艺、电子装置

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

芯片，具有相对设置的第一表面和第二表面以及侧面，所述第一表面为所述芯片的功能面，所述第二表面呈非平面状结构，以使所述第二表面的表面积大于所述第一表面的表面积；以及

绝缘层，形成并包覆于所述芯片的第二表面和侧面。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述芯片的第二表面具有经由粗糙化处理形成的粗糙结构，所述粗糙结构在所述芯片的第二表面的至少部分区域形成粗糙表面，以使所述芯片第二表面的表面积大于其第一表面的表面积。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述粗糙表面的表面粗糙度大于0.5μm。

4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述粗糙结构形成于所述芯片的第二表面的全部区域，使所述第二表面整体呈粗糙表面。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述芯片的第二表面具有凹陷结构、凸起结构、褶皱状结构、波纹状结构的至少其中之一，以使所述第二表面的表面积大于所述第一表面的表面积。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘层被配置为由所述芯片自身包含的硅经氧化反应而形成；或者，所述绝缘层被配置为由绝缘材料沉积于所述芯片的第二表面和侧面而形成。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

电磁屏蔽罩，包覆于所述芯片的第二表面和侧面，并位于所述绝缘层的相对于所述芯片的外侧。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括基板和底部填充层，所述芯片以其第一表面固定于所述基板，所述底部填充层填充于所述基板与所述芯片之间，并包覆所述芯片的部分侧面和所述基板的未被所述芯片遮盖的部分区域；其中，所述电磁屏蔽罩还包覆于所述底部填充层的露出于所述基板与所述芯片之间的部分。

9.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

基板，所述芯片以其第一表面固定于所述基板；以及

塑封层，包覆于所述芯片的第二表面和侧面以及所述基板的第四表面的未被所述芯片覆盖的部分，所述塑封层位于所述电磁屏蔽罩的相对所述芯片的外侧。

10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

基板，所述芯片以其第一表面固定于所述基板；

多个凸点，设于所述芯片的第一表面上，并被配置为使所述芯片通过所述凸点电连接于所述基板；以及

底部填充层，填充于所述基板与所述芯片之间的未设置所述凸点的空间中，并包覆所述芯片的部分侧面和所述基板的未被所述芯片遮盖的部分区域。

11.一种半导体结构的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：

提供一晶圆；

在所述晶圆的背面形成非平面状结构，使所述晶圆的背面的表面积大于其正面的表面积；

切割所述晶圆形成多个芯片，所述晶圆的正面和背面分别形成所述芯片的相对设置的第一表面和第二表面，且所述芯片具有位于第一表面和第二表面之间的侧面，所述第一表面为所述芯片的功能面；

将所述芯片置入高温通氧环境中，使所述芯片的第二表面和侧面由自身的硅经氧化反应形成二氧化硅绝缘层；

将所述芯片固定于基板；以及

封装所述芯片和所述基板。

12.根据权利要求11所述的半导体结构的制备工艺，其特征在于，在所述晶圆的背面形成非平面状结构的步骤中，包括对所述晶圆的背面进行粗糙化处理的步骤，所述粗糙化处理包括对所述晶圆的背面进行颗粒研磨，而使所述晶圆的背面粗糙化，形成粗糙表面。