[发明专利]存储器装置及其操作方法

说明书

存储器装置及其操作方法。一种存储器装置包括：存储块，其联接到多条字线；外围电路，其用于对存储块的所选存储器单元执行感测操作，所述所选存储器单元联接到所述多条字线中的所选字线；字线电压控制器，其用于控制施加到所选字线的感测电压以对所选存储器单元执行感测操作，并且被配置为控制施加到联接到存储块的所述多条字线中的所选字线和未选字线的通过电压；以及位线控制信号发生器，其用于在通过电压被施加到所选字线和未选字线的同时，控制外围电路将沟道预充电电压施加到联接到所选存储器单元的各条位线。

技术领域

本公开总体上涉及电子装置，更具体地，涉及一种存储器装置及其操作方法。

背景技术

存储装置被配置为存储数据。存储装置是在诸如计算机、智能电话或智能平板的主机装置的控制下的装置。存储装置包括被配置为将数据存储在诸如硬盘驱动器(HDD)的磁盘上的装置以及被配置为将数据存储在诸如固态驱动器(SSD)或存储卡的半导体存储器(即，非易失性存储器)上的装置。

存储装置可包括被配置为存储数据的存储器装置以及被配置为控制存储器装置的存储控制器。存储器装置被分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。非易失性存储器装置包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等。

存储器装置可执行编程操作、读操作或擦除操作。存储器装置可在编程操作之后执行验证操作或读操作。当感测操作完成时，可在存储器装置中执行均衡操作。均衡操作可以是使字线和位线放电的操作。在均衡操作中，沟道的电位可从小于0的值改变为0。由于沟道的电位通过均衡操作变为0V，所以可发生干扰现象。

发明内容

根据本公开的一方面，提供了一种存储器装置，该存储器装置包括：存储块，其联接到多条字线；外围电路，其被配置为对存储块的所选存储器单元执行感测操作，所选存储器单元联接到多条字线中的所选字线；字线电压控制器，其被配置为控制施加到所选字线的感测电压以对所选存储器单元执行感测操作并且被配置为控制施加到联接到存储块的多条字线中的所选字线和未选字线的通过电压；以及位线控制信号发生器，其被配置为在通过电压被施加到所选字线和未选字线的同时，控制外围电路将沟道预充电电压施加到联接到所选存储器单元的各条位线。

根据本公开的另一方面，提供了一种操作包括联接到多条字线的存储块的存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：通过将感测电压施加到多条字线中的所选字线并将通过电压施加到未选字线来执行感测操作；以及通过将通过电压施加到所选字线并将沟道预充电电压施加到联接到存储器单元的位线来执行沟道预充电操作，所述存储器单元联接到所选字线。

附图说明

现在将在下文参照附图更充分地描述示例实施方式；然而，其可按照不同的形式来具体实现，不应被解释为限于本文中所阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式以使得本公开将彻底和完整，并且将向本领域技术人员充分传达示例实施方式的范围。

在附图中，为了例示清晰，尺寸可能被夸大。将理解，当元件被称为在两个元件“之间”时，其可以是这两个元件之间的仅有元件，或者也可存在一个或更多个中间元件。相似的标号始终表示相似的元件。

图1是示出存储装置的框图。

图2是示出图1所示的存储器装置的结构的图。

图3是示出存储块的图。

图4是示出图1所示的存储器装置的页缓冲器组中所包括的各个页缓冲器的配置的图。

图5是示出施加到多条字线以及多个页缓冲器中的每一个中所包括的多个晶体管的信号以及在均衡操作中发生的沟道负升压的图。

图6是示出在存储器单元切断时发生沟道负升压的过程的图。