[发明专利]一种实现金属与P型GaN之间低阻欧姆接触的方法在审
| 申请号： | 201911198532.X | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN110890274A | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 顾晓峰;田媛;陈雷雷;闫大为 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 彭素琴 |
| 地址： | 214000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 实现 金属 gan 之间 欧姆 接触 方法 | ||
1.一种实现金属与P型GaN之间低阻欧姆接触的方法，其特征在于，所述方法包括：在p-GaN外延片表面淀积金属电极之前，采用氟等离子体处理的方法对P-GaN外延片表面进行处理。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用氟等离子体处理的方法对P-GaN外延片表面进行处理，包括：
将清洗后的p-GaN外延片，置入氟等离子体腔体内处理30～50s，其中，氟等离子体腔体温度200～300℃，功率500～600W。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述采用氟等离子体处理的方法对P-GaN外延片表面进行处理之前，还包括：利用HF溶液清洗P-GaN外延片表面并且用去离子水冲洗P-GaN外延片表面。
4.根据权利要求1-3任一所述的方法，其特征在于，所述氟等离子体采用电感耦合等离子体源制备得到。
5.根据权利要求1-4任一所述的方法，其特征在于，所述金属电极采用功函数高于4.5eV的金属。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述金属包括Ni、Au、Al和Pt。
7.根据权利要求1-6任一所述的方法，其特征在于，所述金属电极厚度大于5nm。
8.一种权利要求1-7任一所述的实现金属与P型GaN之间低阻欧姆接触的方法在半导体材料淀积金属电极过程中的应用。
9.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件在制备过程中采用权利要求1-7任一所述的实现金属与P型GaN之间低阻欧姆接触的方法淀积金属电极。
10.一种权利要求1-7任一所述的实现金属与P型GaN之间低阻欧姆接触的方法在半导体器件制备中的应用。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江南大学，未经江南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911198532.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种管道泄漏多源检测实验平台
- 下一篇：一种塑料膜干洗机
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
