[发明专利]一种利用TADF实现中高频交流驱动OLED的结构

权利要求书

1.一种利用TADF实现中高频交流驱动OLED的结构，其特征在于：所述结构包括材质为分子内双极性TADF材料或分子间双主体TADF材料的发光层；所述发光层的顶面和底面处各覆有一个材质为有机压电聚合物材料的压电功能层；两个压电功能层均以电极层供电驱动；所述电极层与交流驱动电路相连；所述交流驱动电路为以电压驱动或电流驱动的中高频交流驱动电路。

2.根据权利要求1所述的一种利用TADF实现中高频交流驱动OLED的结构，其特征在于：所述压电功能层的厚度为5-50nm；所述发光层的厚度为10-50nm；所述电极层包括阴极电极层和阳极电极层；所述阴极电极层的厚度为80-150nm。

3.根据权利要求1所述的一种利用TADF实现中高频交流驱动OLED的结构，其特征在于：所述有机压电聚合物材料为PVDF为代表的压电高聚物、均聚物、共聚物、共混物和复合物。

4. 根据权利要求1所述的一种利用TADF实现中高频交流驱动OLED的结构，其特征在于：所述分子内双极性TADF材料为基于分子内D-A 体系的TADF材料；所述分子内D-A 体系中，给体单元决定HOMO分布、受体单元决定LUMO分布；

给体单元结构的材质选择范围包括咔唑类、三苯胺类、吖啶类等含氮原子的衍生物；受体单元的材质选择范围包括但不限于具有强吸电子功能的氰基苯单元、二苯基亚砜、二苯甲酮基、杂原子桥联二苯甲酮、含氮的杂环单元如三嗪、三唑、噻二唑、1,4-二氮苯并菲衍生物、三均三嗪、苯并噻唑、二氮杂芴。

5.根据权利要求4所述的一种利用TADF实现中高频交流驱动OLED的结构，其特征在于：所述分子内双极性TADF材料的优化包括以下方法；

方法A1、选择合适的给体单体和受体单元对，给受体的供电子和吸电子能力差异较大易于实现HOMO和LUMO分离以获得较小的单线态-三线态能极差，即△Est<0.37eV；

方法A2、选择合适的桥联单元、受体单元和给体单元，使三者之间通过大位阻基团连接，从而有效的分离HOMO和LUMO重叠的部分，进一步降低△Est，并使限阻基团包括具有较大空间位阻的扭转结构、大体积结构、螺环结构。

6.根据权利要求1所述的一种利用TADF实现中高频交流驱动OLED的结构，其特征在于：所述的分子间双主体TADF材料为分子间激基复合物TADF材料，属于基于分子间D-A体系的TADF材料；

所述的分子间双主体TADF材料，由电子给体分子作为给体单元，电子受体分子作为受体单元，所述给体单元和受体单元之间以强的相互作用力形成具有强的电荷转移特征的激基复合物；其中，给体单元和受体单元以高的三线态能级阻止形成的激基复合物将三线态能量回传到给体材料或受体材料上；

所述给体单元和受体单元均分别具有高的HOMO能级和低的LUMO能级以及高的荧光量子效率；其中，给体单元的材质选择范围包括m-MTDATA、MAC、TAPC，受体单元的材质选择范围包括但不限于DPTPCz、TmPyTZ、DPTPCz、TmPyPB、PO-T2T、Bphen。

7.根据权利要求1所述的一种利用TADF实现中高频交流驱动OLED的结构，其特征在于：所述利用TADF实现中高频交流驱动OLED的结构，其电极层包括阴极电极层和阳极电极层，其压电功能层包括与阳极电极层接触的第一压电功能层、与阴极电极层接触的第二压电功能层；

所述利用TADF实现中高频交流驱动OLED的结构，其制备方法包括以下步骤；

步骤B1、以阳极层基板为阳极电极层；

步骤B2、在阳极电极层上以沉积工艺成型第一压电功能层；然后在第一压电功能层上以沉积工艺成型发光层；再在发光层上以沉积工艺成型第二压电功能层；最后在第二压电功能层上以沉积工艺成型阴极电极层。

8.根据权利要求7所述的一种利用TADF实现中高频交流驱动OLED的结构，其特征在于：所述压电功能层、发光层均采用溶液法或真空蒸镀法成型；所述溶液法包括旋涂法、浸涂法、刮涂法、喷涂法、丝网印刷、狭缝涂布或喷墨打印。