[发明专利]一种EBL直写高精度第三代半导体的方法有效
| 申请号： | 201911198744.8 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN111029248B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 邹贵付;戴晓;汪潇涵;蒋怡宁;高亮 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/004;G03F7/20 |
| 代理公司： | 苏州根号专利代理事务所(普通合伙) 32276 | 代理人： | 仇波 |
| 地址： | 215137 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ebl 高精度 第三代 半导体 方法 | ||
1.一种EBL直写高精度第三代半导体的方法，其特征在于，包括如下步骤：
（a）将金属盐和水溶性聚合物聚乙烯亚胺溶于水中，进行络合反应，经超滤得到第一溶液；超滤的目的在于除去分子量小于3000 g/mol的成分，所述金属盐与所述聚乙烯亚胺的投料质量比为1:0.8-1.5；
（b）将麦芽糖加入所述第一溶液中，搅拌得到前驱体溶液；所述麦芽糖的投料质量与所述第一溶液的体积比为125-180:1mg/mL；
（c）将所述前驱体溶液旋涂于导电基底上，随后将所述导电基底置于EBL舱内，进行EBL直写；用水清洗所述导电基底，除去未固化部分，再在反应性气体中退火，得到所需半导体的单层结构。
2.根据权利要求1所述EBL直写高精度第三代半导体的方法，其特征在于：所述方法还包括在退火后，多次重复进行步骤（c），得到三维高精度叠层结构。
3.根据权利要求1所述EBL直写高精度第三代半导体的方法，其特征在于：步骤（c）中，所述导电基底为导电硅基底，所述导电硅基底先经过食人鱼溶液处理，然后用超纯水超声清洗三次，最后再用氮气枪吹干。
4.根据权利要求1所述EBL直写高精度第三代半导体的方法，其特征在于：步骤（c）中，EBL直写的电压为10-20 KV，电流为0.224 nA。
5.根据权利要求1所述EBL直写高精度第三代半导体的方法，其特征在于：步骤（c）中，所述退火的温度为400-800℃，反应时间为10-15 min。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
