[发明专利]半导体结构的制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供晶圆，所述晶圆限定有第一区域和第二区域，所述第一区域内形成有完整芯片，所述第二区域内形成有残缺芯片；

在所述第一区域和所述第二区域上形成叠层结构，所述叠层结构包括支撑层和牺牲层；

在所述第一区域上的所述叠层结构内形成电容孔；

在所述电容孔表面及所述叠层结构的表面形成第一电极层；

通过在所述第一区域上的所述第一电极层上形成开口去除所述第一区域的所述电容孔之间的所述牺牲层，同时保留所述第二区域的所述牺牲层；其中，所述第二区域上的所述叠层结构内未形成所述电容孔，或者，所述第二区域上的所述第一电极层上未形成开口。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，

所述第一区域位于晶圆内部；

所述第二区域位于晶圆边缘。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述在所述第一区域上的所述叠层结构内形成电容孔包括如下步骤：

在所述叠层结构上形成第一图案层，所述第一图案层包括沿第一方向排列的第一线条；

在所述第一图案层上形成填充层；

在所述填充层上形成第二图案层，所述第二图案层包括沿第二方向排列的第二线条；

所述第一方向与所述第二方向的夹角为锐角或钝角；

利用所述第一线条和所述二线条为掩模刻蚀所述叠层结构，在所述叠层结构中形成所述电容孔。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，还包括：

在所述第二区域上的所述叠层结构上形成所述第一线条、所述填充层和所述第二线条；

在所述第二线条上形成掩模层，所述掩模层覆盖所述第二区域上的所述第二线条；

利用所述第一线条、所述二线条和所述掩模层为掩模刻蚀所述叠层结构，在所述第一区域上的叠层结构中形成所述电容孔。

5.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述通过在所述第一电极层上形成开口去除所述电容孔之间的所述牺牲层，保留所述第二区域的所述牺牲层包括如下步骤：

在所述电容孔上形成第三图案层，所述第三图案层包括掩模开口；

所述掩模开口与所述电容孔侧壁上的所述第一电极层的顶部轮廓相交，暴露所述电容孔之间的叠层结构；

利用所述第三图案层去除所述暴露的叠层结构；

利用湿法工艺去除所述电容孔之间的非暴露的所述叠层结构中的所述牺牲层。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，

所述电容孔形成于所述第二区域的所述叠层结构上；

所述第二区域上的所述叠层结构中的所述电容孔上的所述第三图案层不包括所述掩模开口。

7.根据权利要求1-6任一所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，还包括：

所述第二区域还包括切割道区域，所述切割道区域与所述第一区域相邻；

在所述切割道区域的所述叠层结构上形成凹槽，所述凹槽表面形成有所述第一电极层。

8.根据权利要求7所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，还包括：

所述凹槽与所述电容孔在同一刻蚀步骤中形成。

9.根据权利要求7所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，还包括：

对准标记形成在所述切割道区域。

10.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，还包括：

所述叠层结构包括从晶圆表面依次形成的底部支撑层，第一牺牲层，中部支撑层，第二牺牲层和顶部支撑层。

11.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，还包括：

在所述第一电极层的表面形成介质层；

在所述介质层的表面形成第二电极层。