[发明专利]一种电磁膜及电子设备在审
| 申请号： | 201911200867.0 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN112885962A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 苏陟;高强 | 申请（专利权）人： | 广州方邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01Q15/02 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 510663 广东省广州市高*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电磁 电子设备 | ||
1.一种电磁膜，其特征在于，包括载体层；
所述载体层上开设有多个贯穿所述载体层的通孔，所述通孔供入射的电磁波通过；
所述通孔内填充有相变材料，所述相变材料用于响应刺激源的输入，至少从第一状态转换为第二状态，从而改变电磁波的传播方向。
2.根据权利要求1所述的电磁膜，其特征在于，多个所述通孔的相变材料响应于所述刺激源的输入，对电磁波的折射率至少沿预设方向呈现中间小、两边大的变化趋势，所述预设方向为所述电磁膜表面内的任意方向。
3.根据权利要求1所述的电磁膜，其特征在于，多个所述通孔的相变材料响应于所述刺激源的输入，对电磁波的折射率至少沿预设方向呈现中间大、两边小的变化趋势，所述预设方向为所述电磁膜表面内的任意方向。
4.根据权利要求1所述的电磁膜，其特征在于，多个所述通孔的相变材料响应于所述刺激源的输入，对电磁波的折射率至少沿预设方向递增或递减，所述预设方向为所述电磁膜表面内的任意方向。
5.根据权利要求1所述的电磁膜，其特征在于，所述第一状态为非晶相，所述第二状态为至少部分结晶的相。
6.根据权利要求1-5任一所述的电磁膜，其特征在于，所述相变材料为硫族化合物材料。
7.根据权利要求6所述的电磁膜，其特征在于，还包括凸起结构，设置于所述载体层的第一表面。
8.根据权利要求7所述的电磁膜，其特征在于，所述凸起结构包括多个凸部。
9.根据权利要求7所述的电磁膜，其特征在于，所述载体层的第一表面还设置有绝缘层，所述凸起结构伸入所述绝缘层。
10.根据权利要求7-9任一所述的电磁膜，其特征在于，还包括连接层，所述连接层设置于所述载体层的第二表面，所述第二表面为与所述第一表面相对的表面。
11.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1-10任一项所述的电磁膜，还包括天线装置，所述天线装置的一表面与所述电磁膜连接。
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