[发明专利]组合物、OLED器件、OLED显示面板及显示装置

权利要求书

1.一种组合物，用于OLED器件的电子传输层，其特征在于，按质量百分比计，所述组合物包括1％～99％的偏电子传输型的低迁移率金属配合物材料以及1％～99％的有机电子传输材料，其中，所述偏电子传输型的低迁移率金属配合物材料的电子迁移率小于1*E^-7cm²/Vs。

2.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述偏电子传输型的低迁移率金属配合物材料中的金属材料包括锂、铯、钾、镱、镁、钙、钠中的任一种，所述偏电子传输型的低迁移率金属配合物材料中的配合物材料包括羟基喹啉基团、碳酸基团、三甲基乙酸基团、草酸基团、酚酸基团和氟基团中的任一种。

3.根据权利要求2所述的组合物，其特征在于，所述偏电子传输型的低迁移率金属配合物材料包括三甲基乙酸铯、碳酸铯、草酸铯、8-羟基喹啉锂和氟化锂中的任一种。

4.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述有机电子传输材料包括4，7-二苯基-1，10-菲罗啉、2，2'-(1，3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-恶二唑]、8-羟基喹啉铝、1，2，4-三唑衍生物和1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的任一种。

5.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述偏电子传输型的低迁移率金属配合物材料和所述有机电子传输材料的质量比为3:7～7:3。

6.一种OLED器件，其特征在于，包括阳极层、阴极层以及自所述阳极层向所述阴极层依次层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层，其中，按质量百分比计，所述电子传输层的材料包括1％～99％的偏电子传输型的低迁移率金属配合物材料以及1％～99％的有机电子传输材料，其中，所述偏电子传输型的低迁移率金属配合物材料的电子迁移率小于1*E^-7cm²/Vs。

7.根据权利要求6所述的OLED器件，其特征在于，所述偏电子传输型的低迁移率金属配合物材料中的金属材料包括锂、铯、钾、镱、镁、钙、钠中的任一种，所述偏电子传输型的低迁移率金属配合物材料中的配合物材料包括羟基喹啉基团、碳酸基团、三甲基乙酸基团、草酸基团、酚酸基团和氟基团中的任一种。

8.根据权利要求7所述的OLED器件，其特征在于，所述偏电子传输型的低迁移率金属配合物材料包括三甲基乙酸铯、碳酸铯、草酸铯、8-羟基喹啉锂和氟化锂中的任一种。

9.根据权利要求6所述的OLED器件，其特征在于，所述有机电子传输材料包括4，7-二苯基-1，10-菲罗啉、2，2'-(1，3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-恶二唑]、8-羟基喹啉铝、1，2，4-三唑衍生物和1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的任一种。

10.根据权利要求6所述的OLED器件，其特征在于，所述偏电子传输型的低迁移率金属配合物材料和所述有机电子传输材料的质量比为3:7～7:3。

11.一种OLED显示面板，其特征在于，所述OLED显示面板包括如权利要求6-10中任一所述的OLED器件。

12.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求11所述的OLED显示面板。