[发明专利]一种漫反射结构及其制备方法有效
申请号: | 201911201051.X | 申请日: | 2019-11-29 |
公开(公告)号: | CN110908022B | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | 李兆国;李晓佳;张继成;吴卫东 | 申请(专利权)人: | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 |
主分类号: | G02B5/02 | 分类号: | G02B5/02 |
代理公司: | 北京远大卓悦知识产权代理有限公司 11369 | 代理人: | 贾晓燕 |
地址: | 621000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 漫反射 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种漫反射结构,其特征在于,包括:超薄金属箔基体;所述超薄金属箔基体被压制成型为三维微结构阵列;
所述超薄金属箔基体的表面制备多层功能薄膜;
所述多层功能薄膜包括设置在超薄金属箔基体一面的CH绝缘层和设置在超薄金属箔基体另一面的CH吸收层和Al反射层;所述CH绝缘层的厚度为8~12微米、超薄金属箔基体的厚度为35~60微米、CH吸收层的厚度为8~12微米、Al反射层的厚度为18~22纳米。
2.根据权利要求1所述的漫反射结构,其特征在于,所述三维微结构阵列为微结构单元按一定规律周期、准周期或完全无规排列且布满整个二维平面的微结构阵列。
3.根据权利要求2所述的漫反射结构,其特征在于,所述微结构单元为具有多边形、圆形、椭圆形、曲边多边形棱柱的内截曲面结构中的任意一种或多种的组合。
4.根据权利要求3所述的漫反射结构,其特征在于,所述内截曲面结构为球面、椭球面、抛物面结构中的任意一种。
5.根据权利要求2所述的漫反射结构,其特征在于,所述三维微结构阵列的每一个微结构单元之间的连接是直接的刚性连接或通过曲面过渡圆滑连接。
6.根据权利要求1所述的漫反射结构,其特征在于,所述超薄金属箔基体在成型后的整体外观呈平面、半圆柱面、半球面、半椭球面、抛物面中的任意一种;所述超薄金属箔基体的厚度为10~100微米;所述超薄金属箔基体为纯金属材料、合金材料、其他非金属材料表面上沉积高反射率薄膜材料中的任意一种。
7.根据权利要求1所述的漫反射结构的制备方法,其特征在于,包括:将超薄金属箔基体放置于一对成型模具之间,以10~30微米/秒的速率缓慢稳定地推进压机,精确调节模具间隙为30~70微米,在工作压强5~10兆帕下保持4~6分钟,实现压制成型;之后利用激光切割机将成型后的超薄金属箔基体切割成特定的形状;然后在具有三维微结构阵列的超薄金属箔基体的表面上蒸镀多层功能薄膜;所述多层功能薄膜包括蒸镀在超薄金属箔基体一面的CH绝缘层和蒸镀在另一面的CH吸收层和Al反射层;所述CH绝缘层和CH吸收层的制备方法为低压等离子体化学气相沉积法,工作压强为1~2帕,氢气流量为1~10立方厘米/分,反式-2-丁烯气体流量为0.4~0.6立方厘米/分,射频功率为10~15瓦;所述Al反射层的制备方法为直流磁控溅射法,工作压强为1~2帕,氩气流量为0.1~0.2立方厘米/分,溅射功率为300~400瓦。
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