[发明专利]一种提高产品良率的LED芯片制备方法

权利要求书

1.一种提高产品良率的LED芯片制备方法，其特征是，所述方法包括以下步骤：

S1,制作GaAs外延片，所述GaAs外延片包括自下而上依次分布的GaAs衬底层、GaAs缓冲层、n-AlGaInP限制层、多量子阱有源层、p-AlGaInP限制层和双层高掺p-GaP窗口层；

S2,在所述GaAs外延片上制作光刻胶掩膜图形，腐蚀GaP形成裸露区域；

S3,在所述裸露区域上沉积一层SiO₂；

S4,在所述SiO₂上制作光刻胶掩膜图形，腐蚀SiO₂形成裸露区域；

S5，在步骤S4得到的外延片表面沉积一层ZnO薄膜；

S6，将沉积有ZnO薄膜的外延片放置炉管中进行Zn扩散处理；

S7，将扩散处理后外延片表面的ZnO去除；

S8，将去除ZnO的外延片进行高温退火处理；

S9，将退火处理后外延片表面的SiO₂去除，去除的SiO₂为步骤S4中光刻胶掩膜的SiO₂；

S10，在去除SiO₂的外延片表面蒸镀ITO薄膜；

S11，在生长ITO薄膜的晶片表面制作光刻胶掩膜图形,通过蒸镀、剥离工序制作P面电极；

S12，将衬底进行减薄，并在减薄后的晶片背面蒸镀N面金属电极。

2.根据权利要求1所述的提高产品良率的LED芯片制备方法，其特征是，步骤S2中所述裸露区域贯穿第一层p-GaP窗口层至第二层p-GaP窗口层。

3.根据权利要求1所述的提高产品良率的LED芯片制备方法，其特征是，步骤S5中所述ZnO薄膜沉积采用磁控溅射或电子束蒸发沉积，蒸镀压强为2.0E-6Torr，腔体作业温度为常温；ZnO薄膜的蒸发速率为1-15埃/秒，蒸发厚度为30-150埃。

4.根据权利要求1所述的提高产品良率的LED芯片制备方法，其特征是，步骤S6中所述Zn扩散炉管的温度为300-450℃，扩散时间为5-15min，炉管内氮气流量为2-30sccm/min。

5.根据权利要求1所述的提高产品良率的LED芯片制备方法，其特征是，步骤S7中通过盐酸溶液腐蚀，去除ZnO，采用浓度为36-38％的盐酸溶液，腐蚀时间为5min。

6.根据权利要求1所述的提高产品良率的LED芯片制备方法，其特征是，步骤S8中退火温度为500-1000℃，退火时间为10-60min，退火炉中氮气的流量为2-30sccm。

7.根据权利要求1所述的提高产品良率的LED芯片制备方法，其特征是，步骤S9中通过BOE溶液去除表面的SiO₂。